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RFID技术中的英飞凌发布用于700MHz频段的全新射频功率晶体管系列
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2020-11-19
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英飞凌(Infineon)在近期举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会上,发布了专门面向700MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G(第四代)蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务,其中包括LTE(长期演进)和下一代无线网络标准。这一全新系列产品拓展了英飞凌的射频功率晶体管组合,包括一个55 W驱动器及两个输出级晶体管(分别为170 W和240 W),在700MHz频段提供最高水平的峰值功率。 基于英飞凌先进的LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)工艺,这些全新器件拥有内部输入和输出宽带匹配特性和高线性度,从而简化了放大器设计。它们可理想地应用于
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RFID技术中的英飞凌发布用于技术中的英飞凌发布用于700MHz频段的全新射频功率晶频段的全新射频功率晶
体管系列体管系列
英飞凌(Infineon)在近期举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会上,发布了专门面向700MHz频段无线基础设施应
用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G(第四代)蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服
务,其中包括LTE(长期演进)和下一代无线网络标准。这一全新系列产品拓展了英飞凌的射频功率晶体管组
合,包括一个55 W驱动器及两个输出级晶体管(分别为170 W和240 W),在700MHz频段提供最高水平的峰值
功率。 基于英飞凌先进的LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)工艺,这些全新器件拥有内部输入和输
出宽带匹配特性和高线性度,从而简化了放大器设计。它们可理想地应用于
英飞凌(Infineon)在近期举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会上,发布了专门面向700MHz频段无线基础设施应用的全新
射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G(第四代)蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务,其中包括LTE(长
期演进)和下一代无线网络标准。这一全新系列产品拓展了英飞凌的射频功率晶体管组合,包括一个55 W驱动器及两个输出
级晶体管(分别为170 W和240 W),在700MHz频段提供最高水平的峰值功率。
基于英飞凌先进的LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)工艺,这些全新器件拥有内部输入和输出宽带匹配特性和高线
性度,从而简化了放大器设计。它们可理想地应用于Doherty放大器,通过结合并行载波和峰级实现更高效率。在移动电话和
无线互联网系统设计领域,Doherty放大器正变得日益流行。
英飞凌公司射频功率器件部副总裁兼总经理Helmut Vogler表示:“消费者的要求日益苛刻,他们希望所使用的无线网络提
供固网链接所能提供的一样的体验和应用,在700 MHz频带上运营的网络将支持互联网应用从固定链接迁移到移动链接,其中
包括IP语音、视频流媒体、音乐下载和移动电视。我们全新的700 MHz射频功率晶体管将帮助建立必要的基础设施,以支持消
费者对专门面向全新移动应用定制的新一代消费电子设备的需求。”
器件详情
英飞凌 PTFA070551E/PTFA070551F FET 的典型性能: 在28 V供电电压下, 双音峰值包络输出功率55W时, 增益为
18.5 dB、效率为48 %。
对于 PTFA071701GH/PTFA071701HL FET来说,双音峰值包络输出功率170W时,增益为18 dB、效率为40%。
PTFA072401E/ PTFA072401F LDMOS晶体管在30 V供电电压下双音峰值包络输出功率240W时的典型性能: 增益为
18.dB、效率为40%。
所有这些产品均采用符合无铅/RoHS 标准的导热增强型空腔塑料封装,带有开槽或无耳法兰,能承受输出端连续波
(CW)10:1的电压驻波比(VSWR)。
供货和定价
全新700 MHz射频功率晶体管的样品现已开始供应,批量生产定于2008年第四季度。
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