ESD管

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: TVS管和ESD管的区别是什么？ VS管和ESD管都是保护器件，但是作用很不一样。下面介绍：　1.作用不一样　TVS管是瞬态抑制二极管，具有很快的响应能力和强大的浪涌吸收能力，主要用在电源输入端用来吸收浪涌的；而ESD是静电放电管，主要用在...
评级：0 浏览量：3543 收藏量：2 资源大小：134KB 上传时间：2021-01-20

: ESD管和TVS管的区别便携式设备如笔记本电脑、手机、PDA、MP3播放器等，由于频繁与人体接触极易受到静电放电(ESD)的冲击，如果没有选择合适的保护器件，可能会造成机器性能不稳定，或者损坏。更坏的情况是查不出确切的原因，使用户误...
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: 专题资料（2021-2022年）ESD管控指导书(1).docx 专题资料
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: Mos管被esd击穿的解决方案　然而MOS管却又是一个ESD静电极具敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。究竟该如何解决MOS管被...
评级：0 浏览量：414 收藏量：0 资源大小：59KB 上传时间：2021-01-20

: 电子产品装配过程ESD控制程序 ESD Control Procedure for Assembling Process of Electronic Products
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: 符合所有主要接口协议的汽车用CAN总线ESD保护芯片.pdf 符合所有主要接口协议的汽车用CAN总线ESD保护芯片.pdf
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: ESD静电二极管和TVS管的选型知识但也经常有些时候，当工程师在选用ESD抑制器和TVS管的时候，工程师们对它们的一些参数会不太清楚，所以有时不能快速地选用合适的保护器件。　ESD抑制器由聚合物（POLYMER）电压诱变材料和高电分子材料制成的，我们...
评级：3 浏览量：2286 收藏量：0 资源大小：116KB 上传时间：2021-01-20

: TVS管ESD保护压敏电阻自恢复保险丝之间的区别.pdf TVS管ESD保护压敏电阻自恢复保险丝之间的区别.pdfTVS管ESD保护压敏电阻自恢复保险丝之间的区别.pdfTVS管ESD保护压敏电阻自恢复保险丝之间的区别.pdfTVS管ESD保护压敏电阻自恢复保险丝之间的区别.pdfTVS管ESD保护压敏...
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: TVS管解决路由器受ESD干扰WIFI掉线问题二、TVS管在路由器中的使用： 1、ESD静电测试原因分析：按照IEC61000-4-2接触放电±4K标准。在进行网络ping时，对路由器外接USB金属外壳进行放电，出现WIFI掉线现象。手动...
评级：0 浏览量：334 收藏量：0 资源大小：434KB 上传时间：2021-01-19

: 如何对TVS与ESD二极管进行辨别二极管作为电路中使用较为广泛的一种器件，拥有很多的种类，瞬态抑制二极管和ESD二极管就是其中的两种。
评级：0 浏览量：558 收藏量：0 资源大小：56KB 上传时间：2020-08-15

: 静电放电ESD保护器件的模拟与仿真静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）是构成集成... 4）研究了双极型晶体管和可控硅（Silicon Controlled rectifier，SCR）防护器件的仿真，并通过对仿真结果的分析，研究了ESD保护器件在ESD应力作用下的工作机理.
评级：0 浏览量：565 收藏量：0 资源大小：4.97MB 上传时间：2021-07-06

: eetop.cn_ESD.pdf 导体（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不断缩小金属氧化物半导体(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的栅氧厚度越来越薄，MOS 管能承受的电流和电压也越来越小，因此要进一步优化电路的抗...
评级：0 浏览量：133 收藏量：0 资源大小：394KB 上传时间：2020-04-23

: ESD测试不归硬件工程师管，归EMC工程师管！本文针对一些读者对于ESD测试的问题给予了图文介绍，供读者参考学习。
评级：0 浏览量：251 收藏量：0 资源大小：175KB 上传时间：2020-08-09

: 一位工程师关于ESD的一点总结而不入网的客户的机子的外壳也大多是锌合金的，ESD问题也让人头痛。这里主要是想分享一下自己对静电方面的一些经验。　在必要的IO口加上TVS管如TP线、侧键的IO线、开关键。不推荐用压敏电阻。因为现在的压敏电阻太...
评级：5 浏览量：333 收藏量：1 资源大小：60KB 上传时间：2021-01-20

: TVS管与ESD保护二极管的区别.docx TVS管与ESD保护二极管的区别docx,TVS瞬态电压抑制：这里不论TV是如何产生的，比如直接或者间接的雷击，静电放电，大容量的负载投切等因素导致的浪涌。电压从几伏到几十千伏甚至更高。
评级：0 浏览量：894 收藏量：0 资源大小：14KB 上传时间：2019-09-12

: ESD9101-D.PDF 这是一款不错的TVS 管，防静电的，需要的拿去学习。
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: CMOS电路ESD保护结构设计随着集成电路工艺不断发展， CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，...
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: CMOS电路的ESD保护结构设计随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，如何...
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: MOS管静电击穿有两种方式资料下载其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即...
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: 使用MOS管的注意事项 MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。...在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电
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: 电路保护器件保护移动设备避免ESD影响更高的电流密度和更小的晶体管尺寸，以及用于芯片保护的有限空间，均趋向于增加电子元器件对静电放电(ESD)等瞬态电气过应力事件的敏感性。减少此类瞬态事件的影响，不单有助于防止设备相互“交谈”时导致数据损坏，...
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: TVS管特性介绍及选型参数 1、先从工作电压选取最大反向工作电压VRWM，则击穿电压为； 2、从击穿电压值选取最大箝位电压VC； 3、再从箝位电压VC和最在峰值电流IP计算出方波脉冲峰值功率： 4、计算折合为TP=1MS指数波的峰值功率，折合系数K1=...
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: TVS管与ESD保护二极管的区别.doc TVS管与ESD保护二极管的区别
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: 关于移动设备应用的ESD设计考量更高的电流密度、更小的晶体管几何形状、以及有限的用于芯片保护的可用空间都将导致增加电子元件对诸如静电放电（ESD）等瞬态电气过载事件的敏感性。对于这些有高数据流的应用，减少这些瞬态情况的事件的影响以防止...
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: mos管保护电路图_mos管防静电保护电路图本文主要为mos管防静电保护电路图，希望对你的学习有所帮助。
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: MOS管相关仿真实验报告1 MOS管相关仿真实验报告（必做加选做）电信1806 U201813405 吴叶赛一．MOS管共源放大电路仿真（基本要求）电路如右图所示，注意：1）设置静态工作
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: 多电源域高速IO的片上模块化ESD防护器件提出一种新颖的片上静电泄放(ESD)防护器件,该器件由N阱/P阱二极管、基于high-K金属栅CMOS工艺形成的二极管、寄生的晶闸管(SCR)和内嵌的电源钳位电路等几部分构成,具有多条ESD通路,能实现对单个IO管脚的PS-Mode、NS-...
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: ESD5304D-10TR DFN2510-10L 电压5V结电容0.25PF eSATA端口保护.pdf TVS管 TVS二极管 TVS瞬态抑制管，ESD管 ESD二极管 ESD防静电管
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: 基础电子中的关于移动设备应用的ESD设计考量更高的电流密度、更小的晶体管几何形状、以及有限的用于芯片保护的可用空间都将导致增加电子元件对诸如静电放电（ESD）等瞬态电气过载事件的敏感性。对于这些有高数据流的应用，减少这些瞬态情况的事件的影响以防止...
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: MOS芯片的ESD保护电路设计随着CMOS集成电路产业的高速发展，越来越多的CMOS芯片应用在各种电子产品中，但在电子产品系统的设计过程中，随着CMOS工艺尺寸越求越小，单位面积上集成的晶体管越来越多，极大地降低了芯片的成本，提高了芯片的运算...
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: 关于MOS管失效，说白了就这六大原因 MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator） —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数...
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