载流子注

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载流子注

: 高功率氮化镓基蓝光激光器通过优化蓝光激光器p-AlGaN限制层的生长温度,抑制了量子阱热退化,通过优化量子阱结构,改善了载流子分布,研制出了高功率蓝光激光器。利用变腔面反射率法获得蓝光激光器的内部光学损耗为6.8 cm -1,载流子注入效率为90%...
评级：0 浏览量：157 收藏量：0 资源大小：4.58MB 上传时间：2021-01-26

: 大气压下微流注空间演化与尺度特征 (2010年) 总结了微放电模式下激流注的空间演化过程，对完全击穿时的放电形貌进行了分析，给出了描述微流注空间尺度的3个参量，并利用放电形貌图对这3个参量进行了估算，讨论3个参量随激励电压的变化规律。
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：278KB 上传时间：2021-04-22

: GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势氮化镓(GaN)基蓝光和绿光激光器在投影显示、激光加工、激光照明、存储等领域具有重要的应用前景与广泛的市场需求。本文着重介绍了GaN基蓝光和绿光边发射激光器的技术难点和相应的解决方案。在GaN基蓝光与绿光激光器...
评级：0 浏览量：215 收藏量：0 资源大小：8.38MB 上传时间：2021-02-21

: 反馈光注入半导体激光器复合腔模的稳定性通过求解复合腔模的鞍结分岔及霍普夫分岔边界条件并计算载流子浓度的庞加莱截图, 验证了模式稳定区域的存在。数值计算的半导体激光器载流子浓度的分岔图验证了在小注入电流条件下渐进分析的可靠性。
评级：0 浏览量：44 收藏量：0 资源大小：1.08MB 上传时间：2021-02-10

: 元器件应用中的发光二极管性质基础理论发光二极管的输出光是由有源层的电子和空穴的自发辐射复合产生的，图1说明了一种直接带隙半导体双异质结二极管在正向偏置电压下禁带结构和载流子浓度分布情况。...有源层中的载流子浓度变化可以用注
评级：0 浏览量：70 收藏量：0 资源大小：85KB 上传时间：2020-11-13

: 磁敏晶体管的工作原理_磁敏晶体管的特性根据磁敏一极管的工作原理，由于流太基区的电子要经过高复合区r，载流子大量复合，使i区载流子浓度大大减少而成为高阻区。高阻区的存在又使发射结上电压减小，从而使注人到i区的电子数大量减少，使集电极电流...
评级：0 浏览量：139 收藏量：0 资源大小：119KB 上传时间：2020-07-12

: 基础电子中的双异质结激光器图表示出双异质结激光器的结构示意图和相应的能带图在正向偏压下，电子和空穴分别从宽带隙的N区和P区注进有源区。它们在该区的扩散又分别受到P－p异质结和N－p异质结的限制，从而可以在有源区内积累起产生粒子数反转...
评级：0 浏览量：159 收藏量：0 资源大小：52KB 上传时间：2020-11-13

: 简析led芯片基础知识 led芯片led芯片的主要材料是单晶硅. led芯片作用？芯片主要是把电转化光的核心的东西,本公司LED核心芯片是由本公司自行开发,因此降低成本。...在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时
评级：0 浏览量：164 收藏量：0 资源大小：43KB 上传时间：2020-07-11

: 元器件应用中的发光二极管的工作原理当在发光二极管的PN结上加正电压时，PN结势垒降低，载流子的扩散运动大于漂移运动，致使P区的空穴-注人到N区，N区的电子注入到P区。相互注人的电子和空穴相遇后就会产生复合，复合时发出的能量大部以光的形式出现。...
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