SiC肖特基二极管

第三代SiC肖特基二极管1200V高压 1200V碳化硅肖特基二极管是固锝电子新推出的第三代SiC肖特基二极管。 可以实现超低的反向恢复时间，优越的高温反向漏电流，优化提升开关损耗，很好的提高了电动汽车、混合动力汽车、通信、工业和商用等电源类产品的...

评级：0 浏览量：103 收藏量：0 资源大小：312KB 上传时间：2022-10-28

元器件应用中的英飞凌推出TO-220 FullPAK封装的第二代SiC肖特基二极管 SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使安装更加简易、可靠。 　独具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于...

评级：0 浏览量：171 收藏量：0 资源大小：51KB 上传时间：2020-11-07

元器件应用中的英飞凌推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管 SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是...

评级：0 浏览量：128 收藏量：0 资源大小：44KB 上传时间：2020-11-12

元器件应用中的英飞凌推出性能改进的第三代thinQ! SiC肖特基二极管 SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容，可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率，从而帮助降低电源转换系统成本。此外，英飞凌推出的第三代SiC肖特基二极管是...

评级：0 浏览量：108 收藏量：0 资源大小：53KB 上传时间：2020-11-10

4H-SiC肖特基二极管温度传感器模型分析 (2008年) 在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论基础上，得出了理想因子、势垒高度及串联电阻随温度变化的特性值，并结合考虑三者随温度变化的特性提出了一种计算正向电流密度的理论模型。通过对肖特基二极管的正向特性...

评级：0 浏览量：108 收藏量：1 资源大小：1.55MB 上传时间：2021-05-29

SiC肖特基二极管势垒不均匀分布理论与研究进展.docx SiC肖特基二极管势垒不均匀分布理论与研究进展.docx

评级：0 浏览量：13 收藏量：0 资源大小：384KB 上传时间：2022-12-01

如何提高4H-SiC肖特基二极管和MOSFET的雪崩耐受性-综合文档 如何提高4H-SiC肖特基二极管和MOSFET的雪崩耐受性

评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：743KB 上传时间：2021-05-23

4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：462KB 上传时间：2021-02-20

泰科天润(GPT)碳化硅SIC肖特基二极管替换科锐_ON_英飞凌-综合文档 泰科天润(GPT)碳化硅SIC肖特基二极管替换科锐_ON_英飞凌_ST_UnitedSiC_HESTIA对照表.xlsx

评级：0 浏览量：109 收藏量：0 资源大小：36KB 上传时间：2021-05-25

高压4H_SiC肖特基二极管的模拟及研制.pdf 高压4H_SiC肖特基二极管的模拟及研制.pdf

评级：0 浏览量：108 收藏量：0 资源大小：406KB 上传时间：2011-04-05

基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制 碳化硅半导体材料与器件，主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容

评级：5 浏览量：242 收藏量：2 资源大小：372KB 上传时间：2013-12-23

具有高电流能力的单片4H-SiC结势垒肖特基二极管的制作 具有高正向能力的单片4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管引起了人们的极大兴趣当前用于工业电源应用。 在本文中，我们报告了在掺杂至6×1015cm3的10μm4H-SiC外延层上制造的大面积单片4H-SiC JBS二极管。 有效面积...

评级：0 浏览量：236 收藏量：1 资源大小：1.14MB 上传时间：2021-03-17

Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应 Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：235KB 上传时间：2021-02-20

电源技术中的PWM DC/DC转换器肖特基二极管（SBD） 现有的大多数肖特基二极管都是用硅（51）半导体材料，新材料碳化硅（SiC）的SBD也已被应用。 　1）硅SBD的特点 　正向压降比PN结二极管低，约为后者的1/2～1/3，典型值为0.45～0.55V，新型低压的可以低达0.32V；...

评级：0 浏览量：434 收藏量：0 资源大小：38KB 上传时间：2020-11-16

如何提高肖特基二极管和MOSFET的雪崩耐受性 半导体市场的最新趋势是广泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（SBD）和功率MOSFET。与此同时，由于可供分析的现场数据有限，这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问题。一些...

评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：188KB 上传时间：2021-07-07

SiC 碳化硅 top1000的SiC 碳化硅专利 pdf 一种用于便携式制氧机的集成截止阀的分子筛床排气端盖 耐磨耐冲刷的重防腐纳米化陶瓷胶泥及其制备方法和使用方法 一种单板双封结构的双管板碳化硅换热器 一种分流板流道清胶方法及设备 ...

评级：0 浏览量：278 收藏量：0 资源大小：576.27MB 上传时间：2020-10-11

论文研究-大电流、高品质因子碳化硅肖特基二极管研究 .pdf 大电流、高品质因子碳化硅肖特基二极管研究，宋庆文，张玉明，本文利用CVD方法生长厚度为10μm 的4H-SiC低掺杂同质外延材料，研制了有源区面积为2mmx2mm的肖特基结构功率整流二极管（Schottky Barrier diode-

评级：0 浏览量：136 收藏量：0 资源大小：474KB 上传时间：2019-08-22

Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理 今日宣布推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖特基二极管系列。 LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化硅肖特基二极管提供各种额定电流选择（6A、8A、10A、16A或20A）。 它们可为电力电子系统...

评级：0 浏览量：88 收藏量：0 资源大小：99KB 上传时间：2021-01-20

晶体二极管开关转换过程分析 随着技术的发展，新型的SiC肖特基势垒二极管与采用Si或GaAS技术的传统功率二极管相比，SiC肖特基二极管(SiC-SBD)可大幅降低开关损耗并提高开关频率。在AM-LCD中，用C60制作的势垒二极管作为有源矩阵的开关，其工作...

评级：0 浏览量：126 收藏量：0 资源大小：113KB 上传时间：2020-11-06

元器件应用中的品佳积极推广英飞凌第二代硅碳化物肖特基二极管  全新的SiC二极管在冲击(surge)电流，不但比第一代至少加强了一倍，并且在坚固耐用方面也大为改善，因此能够处理更高的起动流入电流以及过电流，非常适合在SMPS(交换式电源供应器)上的PFC(功率因素修正Power

评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：45KB 上传时间：2020-11-27

SiC功率元器件基础.pdf 本资料解释了SiC的物理性质和特点，通过与Si元器件进行比较来具体解释SiC肖特基势垒二极管和SiC MOSFET的特点以及用途的差异。同时还包含对全SiC功率模块各种优势的详细说明。 目录 － 前言 .........................

评级：0 浏览量：34 收藏量：1 资源大小：7.63MB 上传时间：2024-02-06

SiC JFET SJEP120R063特性分析及其在逆变器中的应用 介绍了SiC JFET SJEP120R063的工作特性， 由于该器件正向损耗低，可有助于提高大功率逆变电路的开关频率和工作效率。设计了采用SJEP120R063实现的三相逆变器， 并进行了实验研究， 结果表明用具有较小的导通电阻和...

评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：468KB 上传时间：2021-04-16

SiC MPS的分析设计和研制 摘要：本文介绍了具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器－混合PiN/Schottky二极管(MPS)。理论分析了该器件的正向导通、反向阻断和击穿特性.以4HSiC材料为例模拟和优化设计了器件的外延层掺杂浓度和厚度、...

评级：0 浏览量：170 收藏量：0 资源大小：135KB 上传时间：2021-02-03

表面氢化降低SiC/金属接触间界面态密度的机理 (2005年) 该方法用于SiC器件的表面处理，在100℃以下制备了理想因子为1.20～1.25的6H-SIC肖特基二极管，其欧姆接触比接触电阻为（5～7）×10-3Ω·cm2。表面氢化处理的优点在于避免了欧姆接触所需的800～1200℃的高温合金，...

评级：0 浏览量：276 收藏量：1 资源大小：2.24MB 上传时间：2021-05-08

SemiQ（原GlobalPower）1200V/60A碳化硅二极管模块GHXS060A120S‐D3 •SiC肖特基二极管 ‐零反向恢复 ‐零前向恢复 ‐温度无关的开关行为 ‐ VF上的正温度系数 •低杂散电感 •高结温操作 应用领域 •直流电源设备的电源 •感应加热整流器 •焊接设备 •高温和整流器 好处 •出色的...

评级：0 浏览量：105 收藏量：0 资源大小：254KB 上传时间：2021-01-06

碳化硅电力电子器件的发展现状分析 1 SiC二极管实现产业化 ... SiC肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。做为单子器件，它的工作过程中没有电荷储存，因此它的反向恢复电流仅由它的耗尽层结电容造成，其反向恢复电荷以及其反向恢复损耗比Si超

评级：0 浏览量：108 收藏量：0 资源大小：115KB 上传时间：2021-01-20

元器件应用中的碳化硅电力电子器件的发展现状分析 1 SiC二极管实现产业化 ... SiC肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。做为单子器件，它的工作过程中没有电荷储存，因此它的反向恢复电流仅由它的耗尽层结电容造成，其反向恢复电荷以及其反向恢复损耗比S

评级：0 浏览量：190 收藏量：0 资源大小：119KB 上传时间：2020-10-16

Microchip扩展碳化硅（SiC）电源器件系列产品，助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性 业界希望基于碳化硅（SiC）的系统能地提升效率、减小尺寸和重量，从而帮助工程师创建创新的电源解决方案；这一需求正在持续、快速地增长。...　Microchip的SiC系列产品包含以肖特基势垒二极管（SBD）为基础的700V、1

评级：0 浏览量：131 收藏量：0 资源大小：213KB 上传时间：2021-01-20

Littelfuse栅极驱动器评估平台让SIC电源转换更高效更快速 新的评估平台可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他外围组件，以便他们更好地了解碳化硅技术在连续工作条件下如何在转换器应用中发挥作用。 与大多数其他碳化硅评估平台不同，...

评级：0 浏览量：98 收藏量：0 资源大小：52KB 上传时间：2021-01-12

电源技术中的Microsemi推出SOT227型的新电源模块系列 　SiC二极管模块在600V和1.2 kV提供电流6A~40A，而肖特基二极管模块覆盖电流和电压为30A~60A和45V~200V。2个标准全桥整流二极管全桥模块，电流分别为40A和 90A，电压为1.6 kV，还可提供30A~ 100A 和200V~1,700V的...

评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：31KB 上传时间：2020-11-08

2021全球第三代半导体快充产业峰会PPT汇总.zip 2021全球第三代半导体...4、基本半导体：碳化硅肖特基二极管在PD快充中的应用 5、推动共享互补的插拔大会 6、SiC二极管在PD快充上的应用 7、Fast Charging andd Environmental Sustainability with GaNFast Power ICs

评级：5 浏览量：308 收藏量：0 资源大小：17.84MB 上传时间：2021-09-18

碳化硅功率器件在电力电子中的应用 (2013年) 从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiC JFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种...

评级：0 浏览量：123 收藏量：0 资源大小：830KB 上传时间：2021-05-07

高效节能！Silicon Mitus汽车用AVN电源管理IC亮相 半导体市场的 趋势是广泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工业和汽车应用的肖特基势垒二极管（SBD）和功率MOSFET。与此同时，由于可供分析的现场数据有限，这些器件的长期可靠性成为一个需要解决的热点问题。一些...

评级：0 浏览量：99 收藏量：0 资源大小：382KB 上传时间：2021-01-13

功率半导体专题报告 BJT）、电力晶体管（Giant Transistor，GTR）、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）等，单极型功率半导体包括功率MOSFET、肖特基势垒功率二极管等。按照材料类型可以分为传统的...

评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：1.85MB 上传时间：2021-03-29