MOS结构

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MOS结构

: 三菱电机第26讲：MOS结构-教程与笔记习题三菱电机第26讲：MOS结构
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: 稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm5、43 nm、440 nm)至紫外(316 nm)光谱范围的MOS结构电致发光器件,并系统研究了SiO2:Re薄膜中稀土离子的电致发光...
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：451KB 上传时间：2021-02-23

: MOs结构高频实验中需要注意的小tips 仅供参考
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: 高阻硅衬底MOS结构共面波导的偏压特性 (2012年) 提出一种新型高阻硅(电阻率ρ>8kΩ・cm)衬底 MOS(metal-oxide-semiconductor)结构的凸起...共面波导的损耗偏移与 MOS结构的Si-SiO2界面效应有关，在凸起式共面波导损耗的偏压实验中，观察到与传统MOS结构共面波导相反的
评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：1.33MB 上传时间：2021-04-25

: MOS结构第一篇ppt.pdf 半导体器件学习资料，适合初学者学习
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: MOS管的基本结构2022 MOS管的基本结构 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常用的场效应晶体管，广泛应用于数字电路和模拟电路中。下面是MOS管的基本结构和工作原理： MOS管的基本结构 MOS管的基本结构...
评级：0 浏览量：108 收藏量：0 资源大小：46KB 上传时间：2022-07-07

: 胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其 C-V特性 (2010年) 扫描电镜显示金粒子的直径在6～7 nm左右,C-V测量结果显示胶体金量子点浮置栅 MOS结构 存在3 V左右的平带电压偏移。通过这种方法制备的胶体金量子点浮置栅 MOS结构可以在非挥发性存储器研究方面展现巨大的应用前景。
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: 脉冲激光沉积制备Ge量子点和环MOS结构的存储特性脉冲激光沉积制备Ge量子点和环MOS结构的存储特性
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: 10分钟详细图解MOS管的结构原理 MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况...
评级：5 浏览量：565 收藏量：2 资源大小：213KB 上传时间：2021-01-20

: N沟道增强型MOS管结构示意图本文主要讲了N沟道增强型MOS管结构示意图，希望对你的学习有所帮助。
评级：5 浏览量：1745 收藏量：0 资源大小：68KB 上传时间：2020-07-15

: MoS 利用简易的“一锅法”制备了正丁硫醇修饰的MoS2纳米片(MoS2-C4), 并对其结构、组分、形貌及电双稳性能进行了研究。正丁硫醇在反应过程中既作为硫源, 又作为表面活性剂。X射线衍射(XRD)测试表明制备的样品为六方晶系...
评级：0 浏览量：199 收藏量：0 资源大小：8.43MB 上传时间：2021-02-07

: MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点晶体管的图腾柱结构这是最便宜和有效地驱动方式，此电路需要尽量考虑MOS管，这样可以使得开启时大电流环路尽可能小，并且此电路需要专门的旁路电容。Rgate是可选的，Rb可以根据晶体管的放大倍数来选择。两个BE之间的...
评级：0 浏览量：373 收藏量：1 资源大小：379KB 上传时间：2022-03-21

: 关于MOS管那些事儿　其结构示意图：　解释 1：沟道　上面图中，下边的 p 型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块 P 型极连在一起，因此 mos 管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用 mos 管必须清楚这个参数是否...
评级：0 浏览量：306 收藏量：0 资源大小：173KB 上传时间：2021-01-20

: MOS管驱动电路的详细总结 1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两...
评级：0 浏览量：2092 收藏量：4 资源大小：666KB 上传时间：2021-07-07

: MOS管电路工作原理精讲PPT.ppt MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的...
评级：0 浏览量：416 收藏量：1 资源大小：2.25MB 上传时间：2020-08-19

: 单层MoS 采用基于第一性原理的贋势平面波方法，对比研究未掺杂和分别掺杂非金属P、半导体Si 及金属Al 的单层MoS2的电子结构和光学性质。计算结果表明：掺杂均转变为p 型半导体且导带向低能方向显著偏移，带隙减小，掺P和Si ...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：4.11MB 上传时间：2021-02-13

: MOS工艺下叉指夹心集成电容的结构及其模拟分析针对较大电容难以集成的实际，提出叉指夹心集成电容结构，采用横向电通量增加电容策略，在顶层上布铝导线呈平铺叉指夹心结构，涂盖Si3N4为介质，通过选择考虑边缘效应的模型进行仿真模拟，观测这种结构下两种连接...
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：660KB 上传时间：2021-04-16

: 最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一.pdf 了解MOS管电路的符号非常重要，它可以帮助我们快速识别MOS管电路的结构和工作原理。MOS管电路的符号可以分为N沟道和P沟道两种，N沟道MOS管电路的符号是箭头指向栅极的，而P沟道MOS管电路的符号是箭头背向栅极的。 ...
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：2.43MB 上传时间：2024-01-17

: MOS管的个人理解-20200412.docx MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的...
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: MOSFET基于silvaco实验仿真，主要研究其正向导通，反向导通，阈值电压的仿真曲线，以及不同的氧化层厚度，p... MOSFET基于silvaco实验仿真，主要研究其正向导通，反向导通，阈值电压的仿真曲线，以及不同的氧化层厚度，p区掺杂浓度对器件的影响，里面包括源码和对特性仿真曲线的详细分析。
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: 移动MOS优化总结移动MOS优化总结通过网络结构优化，解决网络中过覆盖问题，同时尽量让1800M小区覆盖道路。通过功控参数优化、频率优化等，降低网络干扰。通过切换重选参数优化来进行话务迁移、切换链优化。最终让道路主要由1800M...
评级：0 浏览量：126 收藏量：0 资源大小：1.12MB 上传时间：2012-11-05

: MOS管驱动电路介绍及应用　1 MOS管种类和结构　MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的...
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: MOS管驱动电路详解本文采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计，可在1.5V电压供电条件下正常工作，而且在负载电容为60pF的条件下，工作频率可达5MHz以上。
评级：0 浏览量：1206 收藏量：0 资源大小：112KB 上传时间：2020-07-26

: 射频MOS功率放大电路模拟器的设计方案分析射频MOS功率放大电路模拟器的设计方案分析　1. 引言　本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都...
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: 基于SET/MOS混合结构的4-2编码器设计 (2011年) 基于单电子晶体管（SET）的库仑振荡效应、多栅输入特性和相移特性，实现了SET/MOS混合结构的或门逻辑，并利用该或门逻辑实现了4-2编码器。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证，仿真结果表明该电路能够实现4-2编码器...
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：263KB 上传时间：2021-05-13

: 元器件应用中的V-MOS场效应管 1.V-MOS场效应管的结构　V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻蚀技术，刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引出，源极及栅极在V形槽的...
评级：0 浏览量：134 收藏量：0 资源大小：102KB 上传时间：2020-11-23

: 详细讲解MOS管工作原理.doc 它的工作原理是基于 MOS 结构，通过栅极电压的变化来控制漏极和源极之间的电流。在设计 MOSFET 驱动电路时，需要考虑到 MOSFET 的特性和结构。MOSFET 可以分为增强型和耗尽型两种，但实际应用中只有增强型的 N ...
评级：0 浏览量：88 收藏量：0 资源大小：348KB 上传时间：2021-12-07

: mos操作系统.zip 操作系统之最内核部分，通常运行在最高特权级，负责提供基础性、结构性的功能。 3、支承库（亦作“接口库”）是一系列特殊的程序库，它们职责在于把系统所提供的基本服务包装成应用程序所能够使用的编程接口（API...
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: AO3400-VB一种N沟道SOT23封装MOS管 * N沟道MOS结构 * TrenchFET® Power MOSFET结构 * Halogen-free * 100% Rg测试 * 符合RoHS Directive 2002/95/EC AO3400-VB MOS管的应用包括： * DC/DC Converter AO3400-VB MOS管的主要参数包括： * VDS：30V ...
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: 行业-电子政务-减少电容变化的MOS电容结构.zip 行业-电子政务-减少电容变化的MOS电容结构.zip
评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：1.26MB 上传时间：2021-11-19

: SET-MOS混合结构的触发器设计及应用 (2009年) 基于SET-MOS混合结构的或非门构建了基本RS触发器和主从式D触发器,对所设计的新型触发器电路进行了分析研究,并将其应用到寄存器和移位寄存器电路。利用 SPICE对所设计的触发器电路进行仿真验证,仿真结果表明电路...
评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：950KB 上传时间：2021-04-23

: MOS晶体管技术研究简要回顾MOS晶体管一些具有代表性的技术进展，分析了其在将来超大规模集成电路（ULSI）应用中的主要限制。从材料以及器件结构两个方向分别阐述了突破现有MOS技术而最有希望被将来ULSI工业所采用的新型晶体管技术。
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：828KB 上传时间：2021-02-01

: MOS管驱动电路详解.docx 为了设计优秀的MOS管驱动电路，需要了解MOS管的种类、结构、导通特性、驱动方式等知识点。一、MOS 管种类和结构 MOSFET管是FET的一种，分为增强型和耗尽型两种类型。增强型MOS管又分为N沟道和P沟道两种，分别称为...
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: 电焊机当中IGBT与MOS管相同吗？在焊机电路中,IGBT管与MOS管的作用非常接近。很多开发者在初接触这一部分的... 从焊机结构来讲，MOS管在逆变电源里使用数量比较多，单个安数在9-20A。较大型号的焊机中400A或者500A的时候使用数量在32-40个，长时间容
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: MOS场效应晶体管的结构工作原理和输出特性PPT课件.pptx MOS场效应晶体管的结构、工作原理和输出特性 MOS场效应晶体管是一种常用的场效应晶体管，广泛应用于电子电路中。下面是MOS场效应晶体管的结构、工作原理和输出特性。 MOS场效应晶体管的结构： MOS场效应晶体管的...
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: IRLR8103VTRPBF-VB一种N沟道TO252封装MOS管 * MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：一种场效应晶体管，使用 MOS 结构来控制电流。 * N沟道（N-Channel）：指 MOSFET 的沟道类型为 N 型半导体，即电流流经沟道时，电子为主流动载流子...
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: 增强型、耗尽型MOS场效应管 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀...
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: 基于SET/MOS混合结构的奇偶校验码产生电路的设计 (2011年) 基于单电子晶体管（SET）的库仑振荡效应和多栅输入特性，利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）的互补特性，设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证，结果...
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