光电阴极

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光电阴极

: 多碱光电阴极灵敏度理论模拟针对多碱光电阴极进行了理论建模和性能模拟，采用层状模型：Na2KSb+K2CsSb+Sb·Cs偶极层，讨论了各层厚度、掺杂离子浓度对多碱阴极能带以及光谱响应特性的影响，结果显示表面K2CsSb和Sb·Cs两层的n型掺杂较高时，...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：2.52MB 上传时间：2021-02-05

: 透射式GaN紫外光电阴极的制备及光电发射性能设计了一种以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品作为透射式阴极材料，并利用超高真空表面净化工艺与（Cs,O）激活工艺对其进行了光电阴极制备。紫外光谱响应测试结果表明，所制备的GaN紫外光电阴极在透射...
评级：0 浏览量：130 收藏量：0 资源大小：1.97MB 上传时间：2021-02-26

: GaN负电子亲和势光电阴极的激活工艺实验结果表明,单用Cs激活就可制备出量子效率约为20％的GaN光电阴极,Cs激活后再进行2-3个Cs/O循环激活可小幅度提高量子效率,高低温两步激活不能进一步提高量子效率。利用偶极层表面模型对实验现象进行了解释。
评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：1.66MB 上传时间：2021-02-10

: 指数掺杂传输模式AlxGa1-x As / GaAs光电阴极的光学性质和量子效率的仿真研究为了更好地了解影响透射式指数掺杂 Alx Ga1-x As／GaAs 光电阴极性能的因素，利用薄膜光学的矩阵法推导的光学性能函数，以及考虑窗口层光电子贡献作用的透射式指数掺杂 Alx Ga1-x As／GaAs 光电阴极量子效率公式建模...
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：359KB 上传时间：2021-04-12

: 场增强GaN光电阴极及其实现方法场增强GaN光电阴极及其实现方法
评级：0 浏览量：25 收藏量：0 资源大小：1.15MB 上传时间：2021-03-12

: GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性 GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：382KB 上传时间：2021-02-23

: 多级内置电场作用下高级异质结构AlxGa1-xAs / GaAs光电阴极的光发射开发了由组成渐变的缓冲层和指数掺杂的发射层组成的异质结构AlxGa1-xAs / GaAs光电阴极，以改善感兴趣波长范围内的光发射性能。分别基于一维连续性方程推导了反射模式和透射模式AlxGa1-xAs / GaAs光电阴极的理论...
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：2.33MB 上传时间：2021-03-24

: 负电子亲和势光电阴极量子效率公式的修正负电子亲和势光电阴极量子效率公式的修正
评级：0 浏览量：67 收藏量：0 资源大小：220KB 上传时间：2021-02-23

: GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了稳定性测试,获得了Cs/O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应,通过计算得到量子效率曲线。结果表明:激活结束后GaN灵敏度可以在较...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：697KB 上传时间：2021-02-23

: NEA GaN光电阴极相关科学问题的理论研究进展 NEA GaN光电阴极相关科学问题的理论研究进展
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：964KB 上传时间：2021-04-15

: 梯度掺杂和组分反射模式AlGaAs / GaAs光电阴极的分辨特性梯度掺杂和组分反射模式AlGaAs / GaAs光电阴极的分辨特性
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：735KB 上传时间：2021-05-11

: 透射型GaAs光电阴极铟封Craft.io的比较研究透射型GaAs光电阴极铟封Craft.io的比较研究
评级：0 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：594KB 上传时间：2021-03-24

: 利用梯度掺杂获得高量子效率的GaAs光电阴极获得高量子效率且稳定性良好的阴极一直是近年来发展GaAs光电阴极的重要方向。对晶面为(100),掺杂Be,厚度为1 μm分子束外延生长的反射式GaAs发射层,设计了一种从体内到表面掺杂浓度由高到低分布的新型梯度掺杂结构。...
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：802KB 上传时间：2021-02-12

: 负电子亲和势GaN光电阴极光谱响应特性研究针对负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极成功激活后的量子效率问题,利用自行研制的紫外光谱响应测试仪器,测试了成功激活的NEAGaN光电阴极的光谱响应,给出了230—400nm波段内反射模式NEAGaN光电阴极的量子效率曲线....
评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：160KB 上传时间：2021-02-23

: 不同掺杂砷化镓光电阴极光电发射性能分析采用分子束外延技术制备了具有相同的均匀掺杂或指数掺杂的反射式(r-mode)和透射式(t-mode)GaAs光电阴极样品。利用在线光谱响应测试系统测试了它们的光谱响应，并对实验曲线进行拟合，得到了电子扩散长度和积分灵敏度...
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：4.3MB 上传时间：2021-02-07

: GaAs光电阴极智能激活研究 GaAs光电阴极智能激活研究
评级：0 浏览量：75 收藏量：0 资源大小：411KB 上传时间：2021-02-23

: 指数掺杂透射式GaAs光电阴极表面光电压谱研究通过求解一维稳态少数载流子扩散方程，推导了指数掺杂和均匀掺杂的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了发射层厚度相同、掺杂结构不同的两款透射式阴极材料。通过...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：2.09MB 上传时间：2021-02-25

: 高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究研究了高温Cs 激活过程中, GaAs 光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs 材料体内负电性p<br />型掺杂杂质与材料表面正电性Cs+ 所形成的偶极子对表面势垒的作用后, 通过求解均匀掺杂阴极中电子所<br />...
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：568KB 上传时间：2021-02-24

: 梯度掺杂结构GaN光电阴极表面的净化然后在超高真空室内710 ℃下对阴极进行了高温退火清洁，去除化学清洗后残留在阴极表面的C、O等吸附物，使阴极表面达到制备高性能负电子亲和势(NEA)光电阴极所需的原子级清洁程度。最后通过阴极激活实验加以验证，...
评级：0 浏览量：47 收藏量：0 资源大小：1.56MB 上传时间：2021-02-13

: 变掺杂GaN光电阴极的制备及发射机理研究为了提高GaN阴极的紫外探测效率，提出了一种由体内到表面、掺杂浓度由高到低的变掺杂GaN阴极材料结构，采用超高真空（Cs,O）激活工艺进行了阴极制备，对均匀掺杂和变掺杂GaN光电阴极的光谱响应特性进行了测试与比较...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：1.75MB 上传时间：2021-02-05

: 光电阴极与光电倍增管.ppt 光电阴极与光电倍增管.ppt
评级：0 浏览量：3 收藏量：0 资源大小：1.46MB 上传时间：2022-01-03

: 透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳厚度研究通过研究指数掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散漂移长度与均匀掺杂GaAs光电阴极中光电子扩散长度的差异,确定透射式指数掺杂GaAs光电阴极的最佳厚度范围为1.6—2.2μm.利用量子效率公式对透射式指数掺杂GaAs光电阴极最佳...
评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：712KB 上传时间：2021-02-24

: 梯度掺杂GaN光电阴极的光发射我们研究了梯度掺杂GaN光电阴极的光发射过程，发现内置电场可以增加光生电子的逸出概率和有效扩散长度，从而提高了量子效率。还研究了高电场下的区间散射机制和晶格散射机制。为了防止出现负微分迁移率，需要优化...
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：223KB 上传时间：2021-02-23

: 场助InGaAsP/InP异质结半导体光电阴极的研究本文通过对InGaAsP/InP场助异质结半导体光电阴极的材料生长、场助肖特基结的制备及阴极激活等工艺的系统研究,研制出具有较高光谱响应的半导体光电阴极,生长出优于文献报道的晶格失配率标准的材料,得到相当80年代国际...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：1.44MB 上传时间：2021-02-26

: 梯度掺杂GaAs光电阴极与均匀掺杂GaAs光电阴极的比较梯度掺杂GaAs光电阴极与均匀掺杂GaAs光电阴极的比较
评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：459KB 上传时间：2021-02-23

: 负电子亲和势氮化镓光电阴极的制备工艺结合激活过程中的光电流变化曲线，确定了高温Cs单独激活与后续Cs/O交替激活相结合的工艺，成功制备了表面达到负电子亲和势(NEA)的GaN光电阴极。激活结束后，用光纤光源照射，测得光谱响应。通过计算得到量子效率曲线...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：1.74MB 上传时间：2021-02-13

: GaAs光电阴极表面电子逸出概率与波长关系的研究 GaAs光电阴极量子效率公式中用到的表面电子逸出概率,在阴极工作波段范围内通常视为与入射光子波长无关的常数。应用该结论对反射式GaAs光电阴极激活实验结果进行了拟合分析。实验采用分子束外延GaAs材料,外延发射层...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：415KB 上传时间：2021-02-11

: 用积分法推导NEA光电阴极的量子产额以“三步发射模型”为基础, 采用积分的方法推导出反射式和透射式负电子亲和势(NEA)光电阴极的量子产额表达式, 其中反射式阴极的表达式和传统的求解扩散方程得出的表达式完全相同, 而根据透射式阴极的表达式绘出的...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：1.01MB 上传时间：2021-02-11

: 梯度带隙反射模式AlGaAs / GaAs光电阴极的分辨特性利用二维泊松方程和连续性方程，通过数值方法确定了梯度带隙AlGaAs / GaAs反射模式光电阴极的调制传递函数（MTF）。基于MTF模型，我们计算了渐变和均匀带隙反射模式光电阴极的理论MTF。然后，我们分析了Al成分，...
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：1.36MB 上传时间：2021-03-24

: 多碱光电阴极光谱响应峰值位置移动技术研究研究了多碱光电阴极光谱响应峰值位置移动技术。利用多碱光电阴极多信息量测控技术,可以控制光电阴极光谱响应峰值位置,以满足不同性能光电管光谱匹配的需要。对夜天光辐射以及一些材料的光谱反射,利用多信息量测控...
评级：0 浏览量：45 收藏量：0 资源大小：969KB 上传时间：2021-02-11

: 薄GaAs基异质结光电阴极的光发射特性为了更好地理解薄异质结光电阴极的不同光发射机理，基于一维连续方程修正了基于反射模式和透射模GaAs的异质结光电阴极的量子效率模型，其中从发射层和缓冲层产生的光电子被考虑在内。通过对修正后的模型和常规模型...
评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：1.27MB 上传时间：2021-03-28

: 高效率红外光电阴极-InAsP-Cs2O 这种红外光电阴极会使钇铝石榴石激光器的地位极大地提高。这种探测器对于1.06微米的波长的灵敏度比普通的S-1光敏表面高10倍，对于钇铝石榴石激光器，将是一种兼备了高功率、高效率、连续波能力和紧凑等优点的良好的...
评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：1.13MB 上传时间：2021-02-05

: 行业资料-电子功用-半导体光电阴极、以及应用半导体光电阴极的光电管的介绍分析.rar 行业资料-电子功用-半导体光电阴极、以及应用半导体光电阴极的光电管的介绍分析.rar
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：441KB 上传时间：2021-09-21

: GaN光电阴极的研究及其发展 GaN光电阴极的研究及其发展
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：1.16MB 上传时间：2021-02-23

: NEA GaN光电阴极表面模型研究 NEA GaN光电阴极表面模型研究
评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：341KB 上传时间：2021-02-20

: “超Ⅱ代像增强器”光电阴极成分控制原理研究本文研究了用光电阴极反射率预测和确定多碱阴极的厚度和成分,并用反射率和光谱响应对其进行控制.如果用520 nm单色光源来测量反射率和光谱响应,则“超Ⅱ代像增强器”的光电阴极的厚度应在120 nm左右,即峰值RM3。出现...
评级：0 浏览量：34 收藏量：0 资源大小：1.21MB 上传时间：2021-02-13

: 负电子亲和性GaAs与GaN光电阴极之间的光发射行为比较鉴于GaAs和GaN光电阴极在电子源中的重要应用，光电子的差异III {V的两种典型类型之间的任务行为，即激活过程和量子产率衰减已经使用多信息测量系统研究了复合光电阴极。激活专家元素显示，通过必要的控制，可以实现...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：942KB 上传时间：2021-02-22

: aAs光电阴极热清洗工艺研究 (2004年) GaAs光电阴极在进行CS-0激活前,激活层表面必须达到原子级洁净。最常用且最有效的洁净方法是高温热清洗法。然而,在热清洗过程中对处在真空系统中的光电阴极表面温度进行精确测量却是非常困难的。本文采用四极质谱仪对...
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: InGaAs光电阴极制备工艺中的原位光电子能谱.docx InGaAs光电阴极制备工艺中的原位光电子能谱.docx
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: 铟封前后透射式GaAs光电阴极光谱响应特性的测试与分析利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机,对透射式GaAs光电阴极在高温激活结束、低温激活结束以及铟封成管后的光谱响应特性进行了测试。结果显示,铟封后阴极整个响应波段的光谱响应下降,长波响应受到最显著的影响,...
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: 反射式非均匀掺杂负电子亲和光电阴极量子效率研究为获得恒定的电场强度,需要用指数掺杂方式对光电阴极激活层进行掺杂。指数掺杂实际上是一种特殊的梯度掺杂,针对这种掺杂方式,建立了指数掺杂和均匀掺杂加权的量子效率公式。实验设计了4种掺杂浓度从1019-1018 cm-3...
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: NEA GaN光电阴极在反射和透射模式下的量子效率特性比较与分析利用超高真空制备技术，对以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品进行了光电阴极制备，并利用紫外光谱响应测试仪，对所制备的基于负电子亲和势（NEA） GaN光电阴极在反射式和透射式两种工作模式下的量子...
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：1016KB 上传时间：2021-02-26

: 梯度掺杂和组分透射模式AlGaAs / GaAs光电阴极的分辨特性从二维连续性方程数值求解了梯度掺杂和梯度成分透射模式AlGaAs / GaAs光电阴极的分辨率模型。根据该模型，我们计算了不同梯度掺杂和梯度成分结构的理论调制传递函数（MTF）。仿真结果表明，梯度成分和梯度掺杂结构...
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: 负电子亲和势GaN光电阴极特性研究 (2011年) 分析了NEA GaN光电阴极的产生背景,介绍了NEA GaN光电阴极的结构以及工作模式,研究了GaN光电阴极的光电发射机理以及NEA特性的形成原因,p型GaN经过Cs、O处理后的有效电子亲和势约为-1.2 eV。分析表明:充分激活后形成的...
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: 制备过程中指数掺杂的透射模GaAs光电阴极的光谱响应变化为了确认指数掺杂结构对阴极性能的实际影响，将指数掺杂结构用于制备透射型GaAs光电阴极，高温激活后的光谱响应曲线较低。使用在线光谱响应测量系统分别测量了温度激活和铟密封过程。结果表明，与以前均匀掺杂...
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