击穿原因

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击穿原因

: 可控硅击穿原因有三种本文主要讲了可控硅击穿的3种原因，希望对你的学习有所帮助。
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: 洗煤厂高压电缆击穿原因分析及预防对庆华马克洗煤厂35kV高压交联电缆被击穿事故进行分析研究,提出了相应的防范措施。
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: MOS管击穿原因和防护措施！ MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回事？下面为大家一一揭晓
评级：0 浏览量：270 收藏量：0 资源大小：98KB 上传时间：2020-07-22

: mos管击穿原因_mos管静电击穿本文主要讲了mos管击穿原因，希望对你的学习有所帮助。
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: GaAs光导开关暗态击穿原因分析指出碰撞电离与电流控制负微分迁移率效应是导致开关击穿的直接原因。使用Silvaco半导体仿真软件对模型进行了模拟计算,结果表明温度显著影响电场、载流子浓度分布,引起碰撞电离等效应加剧,造成器件耐压值偏低。仿真...
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: MOS管击穿的原因及解决方案文章为大家介绍了MOS管击穿的原因以及解决方案。
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: MOS管击穿原因及解决方案讨论MOS管被击穿的原因及解决方案.
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: 参考资料-MOS管击穿原因详析及各类解决方案.zip 参考资料-MOS管击穿原因详析及各类解决方案.zip
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: 可控硅击穿的原因有哪些？ "可控硅击穿的原因" 可控硅击穿是指在工作中可控硅因各种原因而损坏的情况。可控硅击穿可能会导致电路故障、设备损坏甚至整个系统的崩溃。因此，了解可控硅击穿的原因非常重要。可控硅击穿的原因主要有以下三点：...
评级：0 浏览量：148 收藏量：0 资源大小：49KB 上传时间：2020-08-21

: 专用芯片技术中的如何分析芯片损坏的原因我想大家或多或少遇到过这样的问题，手上的芯片不知怎么的就烧不进去程序了，搞了半天也找不出原因，对于开发者来说，虽然也就是多花个几两银子换个芯片的事，但也是挺闹心的，而对于大批量生产来说，经常出现这种...
评级：5 浏览量：1055 收藏量：1 资源大小：429KB 上传时间：2020-10-15

: MOSFET击穿的2种原因及对策分析本文中提出了针对于MOSFET击穿的两种常见成因，并且对此进行了问题分析及提出解决方案。
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: MOS管被静电击穿的原因分析本文主要对MOS管被静电击穿的原因进行了分析，希望对你的学习有所帮助。
评级：0 浏览量：531 收藏量：0 资源大小：97KB 上传时间：2020-07-19

: 元器件应用中的MOS管被静电击穿的原因分析 MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。　静电击穿有两种方式; 　一是电压型，即...
评级：0 浏览量：260 收藏量：1 资源大小：101KB 上传时间：2020-10-16

: 电子元件分析:MOS管击穿的原因本文主要总结MOS管被击穿的原因及其解决方案。
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: 单片机烧坏的原因 1.贴片电容所承载的电压接近或超过了它的击穿临界电压，电容内绝缘性能降低，电容被击穿，极间短路。电容内断层极间短路。
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: 元器件应用中的MOS管击穿的原因及解决方案 MOS管被击穿的原因及解决方案如下：　第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。...
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: 显示/光电技术中的解析LED被静电击穿的现象及原理 LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应影响而产生感应电荷。　若电荷得不到及时释放，将在两个电极上形成的较高电位差，当电荷能量达到LED的承受...
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: MOS管被静电击穿的几个原因本文主要是简单介绍了MOS管被静电击穿的几个原因
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: 参考资料-MOS管被击穿的原因及解决方案(全).zip 参考资料-MOS管被击穿的原因及解决方案(全).zip
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: 解析LED被静电击穿的现象及原理 LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应影响而产生感应电荷。
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: 功率MOSFET雪崩击穿问题分析摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET的...
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: 电子元器件被击穿、破坏的主要原因生产线工人做好了防护措施，元器件还是会出现被静电击穿的现象，被大家忽视的主要原因是没有很好地做好静电释放的路径，静电无路可走，停留在生产现场，给生产带来危害。
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: 开关电源中功率晶体管的二次击穿现象及防护措施二次击穿是造成晶体管损坏的重要原因之一。要设计出高性能、高可靠性的开关电源，清楚地了解晶体管二次击穿的有关知识和避免措施很有必要。现就双极型晶体三极管的二次击穿问题作一分析，并探讨有效的解决办法。
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: 锂电池芯在高压激励下的击穿机制　b、隔膜因种种原因，可能被撕裂或刺穿成大孔，导致正负极短路；　c、隔膜虽然被撕裂或刺穿成大孔，但正负极间却未真正短路；　d、隔膜被导电颗粒或正负极尖刺刺入，但是没刺穿，正负极仍为绝缘状态；　e...
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: 解析LED死灯——静电击穿的现象及原理 LED死灯有很多种原因，但由于LED本身抗静电能力弱，因此，大部分死灯都是由于静电击穿造成的。LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应影响而产生感应...
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: 缓存雪崩，缓存穿透，缓存击穿出现的原因及解决方案.docx 缓存雪崩、缓存穿透、缓存击穿出现的原因及解决方案缓存雪崩是指缓存系统宕机或缓存设置了相同的过期时间，导致缓存在同一时刻同时失效，请求全部落到数据库上，数据库立马就死掉了。解决方法包括：事前准备 redis...
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: 功率MOSFET雪崩击穿问题分析.pdf 功率MOSFET雪崩击穿问题分析pdf,分析了功率 MOSFET 雪崩击穿的原因，以及 MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET 雪崩击穿过程不在“热点”的作用，而电气量变化却十分...
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: 预电离状态下激光感应的气体击穿研究了预电离到各种电子密庹...此结杲表明，在预电离的情况下，击穿阈值由级联的电离辻程所控制，而没有弱电离时，它则由其它的诸如气体中小杂屑粒子的效应所支配，而其它这些效应可能是导致击穿阈值与直径有关的原因。
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: 绝缘击穿理论在电缆附件安装中的应用结合多个电压等级的电缆附件故障现象,从电缆附件的现场施工环境、运行条件、绝缘护套的剥削、半导电层的处理、电缆本体和预制应力锥之间界面压力不足等方面入手,分析造成绝缘加速老化直至引起绝缘击穿的原因,...
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: IGBT模块使用中的注意事项因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：　在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再...
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: 开关电源中功率晶体管的二次击穿及防护本文分析了晶体管二次击穿的现象和产生原因，并结合开关电源的设计及生产实际，介绍了缓冲回路的应用及其它有关晶体管防护措施。
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: 电源滤波器损坏的原因是什么电源滤波器主要是由滤波电感、电容和电阻组成，显而易见，电源滤波器损坏或是失效，无非就量个原因，要么是电感饱和被击穿烧毁，要么就是电容的容量丧失后击穿。造成损坏的原因也有两种；，电压过高，当电源电压超过...
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: 电源技术中的锂电池芯在高压激励下的击穿机制　b、隔膜因种种原因，可能被撕裂或刺穿成大孔，导致正负极短路；　c、隔膜虽然被撕裂或刺穿成大孔，但正负极间却未真正短路；　d、隔膜被导电颗粒或正负极尖刺刺入，但是没刺穿，正负极仍为绝缘状态；　e...
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: 可控硅坏的原因有哪些其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。 2、电流损坏电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。 3、电流上升率损坏其痕迹与电流损坏相同，而其位置在...
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: 阶跃电压下液体电介质击穿过程数值分析 (2014年) 数值模拟结果表明，液体介质击穿的根本原因是油隙中自由载流子的产生、迁移形成了预击穿电流，由此产生的焦耳热使得油隙中温度升高，促进流注发展．根据这些现象得出的结论能够很容易理解液体电介质的击穿机理，有利...
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: 论文研究 - 激光诱导击穿光谱法（LIBS）在微分中的应用咖啡是世界上消费最多和商业化的作物之一，这就是为什么存在掺入罗布斯塔咖啡（便宜的品种）的阿拉比卡咖啡（昂贵的品种）的潜在风险的原因。目前用于咖啡认证的技术是高效液相色谱法（HPLC），要求样品在分析之前...
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: 整流二极管损坏的原因有哪些间接传动的发电机组，因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求，使发电机长期处于高转速下运行，而整流管也就长期处于较高的电压下工作，促使整流管加速老化，并被过早地击穿损坏。...
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: MOS损坏的主要原因及解决方案 MOS在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。 MOS 主要损耗也对应这...过压 ---------- 源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电 ---
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: Redis缓存穿透，缓存击穿，缓存雪崩面试题解析缓存击穿的原因主要是缓存热点数据的失效或过期。解决方案： 1. 使用缓存热点数据的失效机制，定期更新热点数据的缓存，避免缓存击穿。 2. 使用缓存双层机制，使用两层缓存，第一层缓存用于存储热点数据，第二层...
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: WK-55电铲IGBT击穿及解决方案 WK-55电铲的大型电气故障主要是由IGBT击穿引起的,击穿一旦发生,除了IGBT本身损坏以外,附近的电气元件也会大范围损坏。介绍了IGBT特性,分析了IGBT击穿原因,并提出了相应的解决方案。
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: 拉开时序下脉冲成形网络中半导体器件的击穿与保护.pdf 文章首先分析了二极管反向恢复过程的物理机制，揭示了高反向恢复电压产生的原因。接着，作者深入研究了PFN电路特性，提出了一种通过避免在负载上出现反向电压来保护半导体开关器件的方法。这种方法的核心是参数匹配...
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: 开关电源维修步骤及常见故障原因 1、修理开关电源时，首先用万用表检测各功率部件是否击穿短路，如电源整流桥堆，开关管，高频大功率整流管;抑制浪涌电流的大功率电阻是否烧断。再检测各输出电压端口电阻是否异常，上述部件如有损坏则需更换。 2...
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: 运用正交试验探索9×19毫米手枪弹发生底火中心击穿或不发火的主要原因 (1992年) 工厂开始生产9 x19毫米手枪弹时,曹发生枪弹底火中心击穿与不发火、缺陷,运用了正交试验方法,找出产生缺陷的主要因素,从而保证了枪弹质量。
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: 电容器常见的故障原因及修理方法故障原因 1、元器件开路电容器开路后，没有电容器的作用。不同电路中的电容器出现开路故障后，电路的具体故障现象不同。如滤波电容开路后出现交流声，耦合电容开路后无声等。 2、元器件击穿电容器...
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