寄生效应

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寄生效应

: 模拟技术中的集成电路中元器件的结构和寄生效应 内容：1 集成电路中npn管结构带来的寄生效应 1.1 典型pn结隔离结构中npn管带来的寄生效应 1.2 pn-介质混合隔离结构中npn管带来的寄生效应 1.3 介质隔离结构中npn管带来的寄生效应 2 集成电路中电阻结构带来的寄生...
评级：0 浏览量：230 收藏量：0 资源大小：49KB 上传时间：2020-12-09

: 高速PCB布线——寄生效应 高整电路板在PCB布局时需要非常注意，稍不细心，就可能带来电磁兼容以及干扰的问题。现在给大家介绍一些实用的布线指南。
评级：1 浏览量：255 收藏量：0 资源大小：55KB 上传时间：2020-07-17

: 元器件应用中的寄生电容、电容寄生效应 寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在...
评级：0 浏览量：1505 收藏量：2 资源大小：29KB 上传时间：2020-12-09

: 模拟技术中的高速模拟设计中电路板寄生效应测试高速模拟设计中电路板寄生效应测试 http:www.guangdongdz.com 2006-12-15 点击下载：高速模拟设计中电路板寄生效应测试来源：电子工程专辑
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：14KB 上传时间：2020-12-13

: 电源技术中的集成电路中晶体管有源寄生效应 内容：1 npn管工作于反向有源区 1.1 npn管及寄生pnp管的工作状态 1.2 工作状态分析 1.3 寄生pnp管对npn管电性影响的结论 1.4 采用工艺措施减小寄生pnp管的影响 2 npn管工作于饱和区 2.1 npn管及寄生pnp管的工作状态 ...
评级：0 浏览量：116 收藏量：0 资源大小：35KB 上传时间：2020-12-09

: 第一章集成电路的寄生效应.doc 第一章集成电路的寄生效应.doc
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: 微电子：13寄生效应与低功耗设计.ppt 微电子：13寄生效应与低功耗设计.ppt
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: 如何减小PCB过孔寄生效应的影响本文主要讲了几种减小PCB过孔寄生效应的影响的方法，希望对你的学习有所帮助。
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: 论文研究-高速电路板图中金属连线的寄生效应的版图后仿真方法及其分析 .pdf 高速电路板图中金属连线的寄生效应的版图后仿真方法及其分析，陈乘，，本文用layout 后仿真方法测试并分析高速电路版图中金属连线在两种不同情况下的寄生效应：静态信号的干扰和时钟信号的干扰。对于每��
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: 集成MOS管中的有源寄生效应.pptx 半导体集成电路
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: 集成NPN管中的无源寄生效应.pptx 半导体集成电路
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: 高速模拟设计中电路板寄生效应测试听说你还在满世界找高速模拟设计中电路板寄生效应测试？在这里，为大家整理收录了最全、最好的...该文档为高速模拟设计中电路板寄生效应测试，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看
评级：0 浏览量：51 收藏量：0 资源大小：152KB 上传时间：2020-12-13

: 元器件应用中的集成NPN的结构与寄生效应 为了在一个基片上制造出多个器件，必须采用隔离措施，pn结隔离是一种常用的工艺。在pn结隔离工艺中，典型NPN集成晶体管的结构是四层三结构，即NPN管的高浓度n型扩散发射区-NPN管的p型扩散基区-n型外延层（NPN管的集...
评级：0 浏览量：185 收藏量：0 资源大小：51KB 上传时间：2020-12-09

: 基于微波散射参数分析半导体激光器的寄生效应 (2013年) 通过封装前后半导体激光器散射参数的对比,提出了一种基于微波散射参数分析半导体激光器寄生效应的方法。借助该方法对半导体激光器的寄生电阻、电容和电感对寄生效应的贡献进行分析。实验结果与理论分析结果相吻合,该...
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: 论文研究-基于微波散射参数分析半导体激光器的寄生效应 .pdf 基于微波散射参数分析半导体激光器的寄生效应，邹新海，张尚剑，本文通过封装前后半导体激光器散射参数的对比，提出了一种基于微波散射参数分析半导体激光器寄生效应的方法。实验结果与理论分析
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: 如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1)。　图1：下管因为寄生而...
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: 场区寄生MOSFET 当互连铝线跨过场氧区B、C两个扩散区时，如果互连铝线电位足够高，可能使场区表面反型，形成寄生沟道，使本不应连通的有源区导通...2.7.2 寄生双极型晶体管 2.7.3 寄生PNPN效应闩锁（Latch-up）效应寄生PNPN效应又称
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: 论文研究-线性能量传输值对SOI NMOS寄生双极放大效应的影响 .pdf 线性能量传输值对SOI NMOS寄生双极放大效应的影响，刘红侠，卓青青，本文通过ISE-TCAD二维模拟软件，研究了全耗尽和部分耗尽SOI NMOS器件的单粒子效应。主要分析了不同线性能量传输值LET对寄生双极放大增��
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: 寄生双极型晶体管闩锁效应的影响如图1中所示，存在于MOS晶体管结构中的两个寄生双极晶体管各自的基极分别与对方的集电极相连，形成了四层的晶闸管的结构。当其中一个晶体管的基－射结电压超过约0.6V时，晶问管将开启，从而导致yDD与yss短路，电路将...
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: 论如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应本文讨论了减轻米勒电容所引起的寄生导通效应的方法，供读者参考
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: 如何应对电路板寄生组件对电路性能的干扰电路板布线所产生主要寄生组件分别是电阻、电容以及电感。从电路图转成实际电路板时，所有寄生组件都有机会干扰电路性能。
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: SOI MOSFET寄生双极晶体管效应的研究 (2004年) 研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响。提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益。原因是：①基区杂质浓度增加，减弱了发射极向基区注入多子，增强了...
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: 多晶硅TFT中浮体扭结效应相关的寄生双极晶体管特性这封信报道了与浮体扭结效应有关的多晶硅中的寄生双极晶体管（PBT）行为TFT。经实验测量数据和二维数据验证离散颗粒/离散能级的模拟结果分布式陷阱方法，不同于传统的双极结以扩散为主的晶体管，电流PBT中的传导...
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: 减轻米勒电容所引起的寄生导通效应的方法当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。本文将详细介绍解决这个问题的几种办法。
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: MOSFET的米勒震荡成因以及寄生电压问题 1、资源内容：讲解了MOS管在实际应用中导致米勒震荡的成因，以及在逆变电路中寄生电压产生的原因。 2、使用人群：硬件工程师，电力电子方向工作的技术人员。 3、创作目的：和广大工程师一起交流一起成长。
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: CMOS闩锁效应.doc 闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路
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: 采用反激转换器如何消除米勒效应设计电源时，工程师常常会关注与MOSFET导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS电流的情况...　图2 MOSFET中的寄生电容　　图3 典型MOSFET的栅电荷　　图4 基于专用控制器的简单QR转换器　
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: CMOS电路结构中的闩锁效应 CMOS Scaling理论下器件特征尺寸越来越小,这使得CMOS电路结构中的闩锁效应日 ...闩锁是CMOS电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发, 会在电源与地之间形成大电流通路,导致器件失效。
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