一、NANDflash 的物理组成
NANDFlash 的数据是以 bit 的方式保存在 memorycell，一般来说，一个 cell 中只能存储
一个 bit。这些 cell 以 8 个或者 16 个为单位，连成 bitline，形成所谓的 byte(x8)/word(x16)，
这就是 NANDDevice 的位宽。这些 Line 会再组成 Page，(NANDFlash 有多种结构，我使用
的 NANDFlash 是 K9F1208,下面内容针对三星的 K9F1208U0M)，每页
528Bytes(512byte(MainArea)+16byte(SpareArea))，每 32 个 page 形成一个 Block(32*528B)。
具体一片 flash 上有多少个 Block 视需要所定。我所使用的三星 k9f1208U0M 具有 4096 个
block，故总容量为 4096*(32*528B)=66MB，但是其中的 2MB 是用来保存 ECC 校验码等额
外数据的，故实际中可使用的为 64MB。
NANDflash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以
形成所谓的三类地址：
ColumnAddress：StartingAddressoftheRegister.翻成中文为列地址，地址的低 8 位
PageAddress：页地址
BlockAddress：块地址
对于 NANDFlash 来讲，地址和命令只能在 I/O[7:0]上传递，数据宽度是 8 位。
二、NANDFlash 地址的表示
512byte 需要 9bit 来表示，对于 528byte 系列的 NAND，这 512byte 被分成
1sthalfPageRegister 和 2ndhalfPageRegister，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是
所谓的 columnaddress(列地址)，在进行擦除操作时不需要它，why?因为以块为单位擦除。
32 个 page 需要 5bit 来表示，占用 A[13:9]，即 该 page 在块内的相对地址。A8 这一位地址被
用来设置 512byte 的 1sthalfpage 还是 2ndhalfpage，0 表示 1st，1 表示 2nd。Block 的地址是
由 A14 以上的 bit 来表示。
例如 64MB(512Mb)的 NANDflash(实际中由于存在 sparearea,故都大于这个值)，共
4096block，因此，需要 12 个 bit 来表示，即 A[25:14]，如果是 128MB(1Gbit)的 528byte/page
的 NANDFlash，则 blockaddress 用 A[26:14]表示。而 pageaddress 就是
blcokaddress|pageaddressinblockNANDFlash 的地址表示为：
BlockAddress|PageAddressinblock|halfpagepointer|ColumnAddress 地址传送顺序是
ColumnAddress,PageAddress,BlockAddress。
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