用于计算并绘制MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) 器件中反漏电阻(Rns)随栅压(Vb)的变化曲线。
主要步骤是:
定义物理常数:真空介电常数eps、电场强度E、间距d、面积A、电子电荷q
定义栅压Vb的取值范围
计算积层电容的阻抗:WID
计算反向饱和电流:Nid
根据公式计算反漏电阻:Rns = Vb^2WID/A + 1/(Nidq*A)
绘制Rns随Vb的曲线
该代码计算了MIS结构中的积层电容和反向饱和电流,并结合电学公式求出反漏电阻的表达式,然后绘制了Rns-Vb曲线。
这可以帮助理解和设计MIS器件的阻抗特性,是一段典型的仿真分析代码。计算并可视化的方法可以扩展到分析其他器件特性的变化规律
