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1.半导体存储器:只读存储器 ROM、随机存储器 RAM(包括静态 SRAM、动态 DRAM)、闪存 Flash Memory。 2.内存的发展:微机使用的各种内存条,包括 FP、EDO、SDRAM、DDR、RDRAM、DDR Ⅱ、DDR 3、QBM 。 3.半导体存储器相关指标:存储元、存储单元、存储体、存储单元地址、存储容量的定义,存储芯片的组成。 4.存储子系统:PC / XT 和 Pentium 存储子系统。
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第三章 内存储器
1 .半导体存储器:只读存储器 ROM 、随机存储器 RAM
(包括静态 SRAM 、动态 DRAM )、闪存 Flash Memory 。
2 .内存的发展:微机使用的各种内存条,包括 FP 、 EDO 、
SDRAM 、 DDR 、 RDRAM 、 DDR Ⅱ 、 DDR 3 、 QBM 。
3 .半导体存储器相关指标:存储元、存储单元、存储体、存
储单元地址、存储容量的定义,存储芯片的组成。
4 .存储子系统: PC / XT 和 Pentium 存储子系统。
本 章 学 习 目 标
内存储器是位于主板上的半导体存储器,包括只读存储器 ROM 、
随机存储器 RAM 和高速缓存 Cache 。
1 .存储器的组成及功能:微机系统中内部存储器,包括半导体存储
器 ROM 、 RAM 以及闪存 Flash Memory 的组成及功能。
2 .存储器性能参数:半导体存储器相关技术指标及实现技术。新型
RAM 技术,包括 DDR 、 DDR Ⅱ 、 DDR 3 、 RDRAM 和 QBM 技术。
3 . 16 位和 32 位存储子系统:存储地址空间的硬件组织方式、系
统总线与内部存储器的连接方式、片选信号的产生和译码方式、奇偶校
验方式和等待状态产生方法等与之相关的存储器接口技术。
通过本章的学习,应对存储系统有一定的了解,掌握存储系统的结
构形式、工作方式,包括存储元、存储体和存储器的结构形式和工作方
式,以及存储器相关信号的作用和产生方法。
3 . 1 半导体存储器
3 . 1 . 1 只读存储器 ROM
只读存储器 ROM ( Read Only Memory )用于存放系统固化程
序,如主板 BIOS 、硬盘控制程序、打印机控制程序、汉字打印字库、
网卡引导程序等,以及某些用户自行设计的控制程序。 ROM 中的信息
可通过外部写入器写入,或通过程序刷新方式写入。
ROM 系统由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器组成。
3 . 1 . 1 只读存储器 ROM
1 . ROM ( Read Only Memory )
通过掩膜工艺、双极工艺或 MOS 工艺实现数据编程,用于存放主
板 BIOS 或微程序,生产厂家在芯片生产时对芯片实行一次性编程。
2 . PROM ( Programmable ROM )
可编程只读存储器。可在专用的 PROM 写入
器上由用户一次性写入程序。芯片上存储单元原始
状态为全 “ 1” ,采用熔断型存储结构。
写入时, V
CC
端加高压( + 12V ),编程控制
为高。当数据位为 0 时三极管射极上的熔丝被熔断,
写入 0 信息;当数据位为 1 时保留熔丝。
读出时, V
CC
端接 + 5 V ,字线选择为高,
若晶体管导通则输出 “ 1” 信息,若晶体管截止则
输出 “ 0” 信息,信息由数据端输出。
3 . 1 . 1 只读存储器 ROM
3 . EPROM ( Erasable Programmable ROM )
可擦除可编程只读存储器,型号为 2716 ( 16Kb / 2KB ) ~ 27010
( 1Mb / 128KB )。芯片顶端中间有一个石英玻璃窗口,用紫外线照射 3
~ 5 分钟可擦除信息,在专用 EPROM 编程器上可写入信息。
⑴ EPROM 存储电路的工作原理
基本存储电路中的 NMOS 管带有一个浮
置栅 G ,置于绝缘的二氧化硅中。
初始状态和清除状态下浮置栅上无电荷,
NMOS 管不导通,存放信息为 “ 1” 。
写 “ 0” 时,在漏极 D 和源极 S 之间加
上高压,使 NMOS 管瞬间雪崩击穿,向栅极
注入电荷。由于绝缘的作用,栅极将保存电
荷使 NMOS 管导通,存放信息为 “ 0” 。
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闪耀之星AK
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