2N5551详解pdf

根据给定的信息，本文将详细解释2N5551这款晶体管的相关知识点，包括其特点、最大额定值、热特性以及电气特性等。 ### 一、2N5551简介 2N5551是一款常用的NPN型硅晶体管，广泛应用于放大电路中。它由半导体组件工业公司（Semiconductor Components Industries, LLC）制造，并在2004年发布了该产品的技术文档。此型号晶体管因其良好的性能和可靠性，在电子设备设计中被广泛应用。 ### 二、2N5551的特点 1. **无铅封装**：提供无铅封装选项，符合环保要求。 2. **明确标记**：产品上清晰地标明了类型（例如2N5551）以及生产日期代码。 ### 三、2N5551的最大额定值 #### 1. 电压参数 - **集电极-发射极电压**（V_CEO）：2N5551的最大值为160V。 - **集电极-基极电压**（V_CB0）：最大值为180V。 - **发射极-基极电压**（V_EBO）：最大值为6.0V。 #### 2. 电流参数 - **连续集电极电流**（I_C）：2N5551的最大连续集电极电流为600mA。 #### 3. 功耗参数 - **总器件耗散**（P_D）： - 在环境温度为25°C时，2N5551的最大功耗为1.5W。 - 温度每升高1°C，功率需减少12mW。 - **工作和存储结温范围**（T_J, T_stg）：-55°C至+150°C。 ### 四、2N5551的热特性 - **结到环境的热阻**（R_JA）：最大值为200°C/W。 - **结到壳体的热阻**（R_JC）：最大值为83.3°C/W。 ### 五、2N5551的电气特性（TA=25°C除非另有说明） #### 1. 关断特性 - **集电极-发射极击穿电压**（V(BR)_CEO）：2N5551的最小值为160V。 - **集电极-基极击穿电压**（V(BR)_CBO）：最小值为180V。 - **发射极-基极击穿电压**（V(BR)_EBO）：最小值为6.0V。 - **集电极截止电流**（I_CBO）：在特定条件下测量。 ### 六、其他重要信息 - **封装形式**：采用TO-92封装。 - **订购信息**：可通过官网获取详细信息（http://onsemi.com）。 ### 七、注意事项 1. **最大额定值**：这些值是指超出该范围可能会导致器件损坏的极限值。它们不是正常工作条件下的值，如果同时超过这些限制，可能会影响器件的功能操作和可靠性。 2. **热管理**：合理的设计应考虑到器件的热阻特性，确保工作温度不超过规定的上限。 3. **封装**：为了正确安装和使用2N5551，用户应当遵循制造商提供的安装指南。 2N5551是一款高性能的NPN硅晶体管，具有较高的电压和电流处理能力，适用于多种放大应用。了解并掌握其技术参数对于正确选择和使用该器件至关重要。