MTK 手机外围电路详细介绍
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2009-12-26
21:00:23
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MTK 电路原理分析
MTK 使用的是 6229 的 BB 芯片，Transeiver 使用的是 MT6140，PA 为 3159 芯片。
6229 和 6230 的区别为 CAMERA 的支持像数，6229 支持 200 万像数，6230 只支持 30 万像数。
6229 和 6226，6225 等 BB 芯片的区别为 6229 内部多了一个 DSP 用于支持 EDGE，并且 6229 的主频为 104MHZ，相对于传统
的 BB 芯片 52MHZ 的主频处理速度快了许多，所以 6229 不仅可以支持 OTG,TVOUT,并且还支持 WI-FI。
OTG 只支持 USB1.1 版本，OTG 的数据线规范要求不能大于 20CM，如果过长会对信号有较大的衰减和反射。
6229 也使用的是 32.768KHZ 的晶振产生时序电路基准信号。32.768kHz 是 RTC（实时时钟）晶振，用 32.768 是因为 32768 是 2
的 15 次幂，可以很方便的分频，很精确的得到一秒的计时。所有的 RTC 晶振一般都是 32.768 或是其倍频。在手机电路中还有一主
时钟，一般为 13MHz 或是其倍频。之所以选用 13M 这样的时钟是为了与基站同步。
MTK 和其他机种使用的 FLASH 也是不同的。MTK 采用混合储存器的方式不同于以往的 NOR+NAND 存储器方式。
注：
NOR＋NAND 存储器采用 NOR 来存储 BIOS 代码，采用 NAND 存储代码(操作系统和应用软件)和数据，易失性 RAM 被用来存
储执行代码时的变量和数据结构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来执行存储在 NAND 中的操作系统和应用软件。
混合存储器采用 SRAM 和 NAND，采用 NAND 作为非易失性存储器，所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方
案可以直接从 NAND 引导，不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导 NOR，因此可降低总系统成本。它们还可以减少元器件数量，节
省了电路板空间。但是，这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难 以 集成且需要主机上有支持请求调页的先进操作系统。
MIC 电路
MICBIASP 和 MICBIASN 为 MIC 电路的正负两路偏置电压，一般为 2.4V-2.7V 左右 的电压。
C204，C205 主要为滤除射频信号的干扰。如果有 GSM900MHZ 的干扰则使用 33PF 的电容，如果有 DCS1800MHZ 的干扰可以
使用 12PF 的电容，如果有 WIFI 2.4GHZ 的干扰则使用 8.2PF 的电容。
C206 主要是抑制共模信号。
C201,C202 为 100NF 电容，主要作用为隔直通交，防止直流电使 PA 饱和，产生信号偏移，主要滤除 100HZ 一下的电流。
B201，B202 为磁珠，主要滤除高频部分的干扰。
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