华工网络教育-模拟电子随堂练习及答案.doc

这篇文档是关于模拟电子技术的学习资料，包含了半导体器件的基础知识和基本放大电路的练习题目及其答案。以下是相关知识点的详细说明： 1. **半导体基础知识**： - N型半导体：N型半导体中多数载流子是电子，因此它不带电，选项C正确。这是因为N型半导体通过掺杂五价元素（如磷、砷）使得自由电子成为主要的载流子。 - PN结：当PN结加反向电压时，空间电荷区会变宽，选项B正确。这是由于反向电压使得载流子漂移方向相反，增加内建电场，拓宽阻挡层。 - 二极管的死区电压：随着环境温度升高，二极管的死区电压减小，选项C正确，因为热激发能更轻易地让电子越过势垒。 2. **二极管应用**： - 图形分析法：题目中给出了不同二极管电路，考察的是二极管在交流信号下的整流和钳位作用。例如，问题4和5中，分别考察了全波整流和二极管的电压钳位效果。 3. **稳压管**： - 稳压管的动态电阻rZ是指稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值，选项B正确。稳压管在反向击穿状态下，利用其电压与电流的关系实现电压稳定。 4. **晶体管**： - 晶体管的电极电位：对于PNP管，发射极电位最高，对于NPN管，发射极电位最低。因此，电位最高的电极为PNP管的发射极，选项B正确。 - 晶体管类型识别：通过各电极的电位差可以判断晶体管类型。例如，问题8中，VE < VB < VC，所以是NPN型硅管，选项C正确。 5. **放大电路**： - 基极电压极性的改变会影响晶体管的工作状态，若发射结由正偏改为反偏，集电极电流近似等于零，选项B正确，晶体管进入截止状态。 - 饱和状态和放大状态的识别：晶体管处于饱和状态时，发射结和集电结均正偏，选项C正确。 - 电流放大系数：指的是晶体管在放大区时的电流放大能力，选项B正确。 - 输入电阻rbe：它是晶体管的输入端等效电阻，对于低频小功率晶体管，一般较小，选项B正确。 - 晶体管工作状态判断：通过电阻RC的存在和晶体管参数，可以判断管子处于放大状态，选项B正确。 6. **场效应管**： - 场效应管类型：根据漏极特性曲线，可以判断场效应管的类型。例如，问题6中，曲线显示随着栅极电压的增加，漏极电流增加，表明是N沟道增强型MOS管，选项B正确。 - 夹断电压：漏极特性曲线上，漏极电流几乎为零的电压即为夹断电压，例如问题7中，约为-2V，选项C正确。 - 跨导gm：跨导表示漏极电流对栅极电压的微分，反映了场效应管的电压控制电流的能力，问题8中，在UDS=10V，UGS=0V处的跨导约为1mA./V，选项A正确。 7. **放大电路错误检查**： - 接线错误：在放大电路中，错误的元件可能是导致饱和失真的原因，例如问题9中，RB1和RB2的阻值不合适可能导致晶体管饱和，需要调整以避免失真，选项B正确。 - 改善失真：对于饱和失真，通常需要增加基极电阻RB1或减少基极电阻RB2来降低基极电流，使晶体管工作在放大状态而不是饱和状态，例如问题10中，选项B正确。 这些知识点涵盖了半导体基础、二极管、稳压管、晶体管以及场效应管的基本特性和应用，是模拟电子学入门学习的重要内容。