74HC573芯片手册

### 74HC573芯片手册：详细解读与应用 #### 一、概述 74HC573是一款高速硅栅CMOS芯片，专为兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）而设计。这款芯片是八位透明D型锁存器的核心，每个锁存器都拥有独立的数据输入端口，并配备了3状态真输出接口，适用于总线导向的应用场景。该芯片的特性包括共同的锁存使能（LE）输入和输出使能（OE）输入，分别控制数据进入锁存器和输出状态。 当LE处于高电平时，数据可以自由地通过输入端口Dn进入锁存器，实现数据的透明传输。此时，锁存器的输出会随相应输入端的变化而变化。当LE从高电平转变为低电平时，锁存器将存储前一个高电平到低电平转换时各D输入端的信息，即完成数据的捕获与锁定。同时，OE的控制决定了输出端的状态，当OE为低电平时，锁存器中的数据可以在输出端读取；反之，OE为高电平时，输出端将处于高阻抗关断状态，不影响锁存器内部状态。 #### 二、特性与应用 74HC573的特性使得它在微处理器和微型计算机的设计中非常有用，可以作为输入或输出端口。其3状态非反相输出特别适合于总线导向的应用，能够有效避免不同设备之间的信号冲突。此外，该芯片具有通用的3状态输出使能输入，这使得它可以方便地与其他设备集成，如74HC563、74HCT563以及74HC373、74HCT373，尽管这些芯片在输出极性或引脚排列上有所差异。 该芯片还符合JEDEC标准7A，具备强大的静电放电（ESD）保护能力，HBMEIA/JESD22-A114-C标准下可承受超过2000V的电压，NMMEIA/JESD22-A115-A标准下则可承受超过200V的电压。工作温度范围广泛，从-40°C至+85°C，甚至部分型号可以达到-40°C至+125°C的宽温操作区间。 #### 三、动态功耗计算与订购信息 为了确定74HC573的动态功耗（PD），可以使用以下公式进行计算： \[PD = C_{PD} \times V_{CC}^2 \times f_i \times N + \sum(C_L \times V_{CC}^2 \times f_o)\] 其中： - \(C_{PD}\) 是用于确定动态功耗的参数； - \(V_{CC}\) 是电源电压； - \(f_i\) 是输入频率（MHz）； - \(f_o\) 是输出频率（MHz）； - \(C_L\) 是输出负载电容（pF）； - \(N\) 是开关输入的数量； - \(\sum(C_L \times V_{CC}^2 \times f_o)\) 是所有输出的总和。 根据表1提供的快速参考数据，用户可以根据具体需求选择合适的封装类型和工作条件进行订购。在实际应用中，了解并掌握74HC573的动态功耗计算方法对于优化系统性能和提高能源效率至关重要。 74HC573是一款功能强大且广泛应用的CMOS芯片，不仅在微处理器和微型计算机领域发挥着重要作用，其出色的ESD保护能力和广泛的温度适应性也使其成为各种恶劣环境下的理想选择。通过深入理解其工作原理和特性，工程师可以更有效地利用74HC573来构建高性能的数字电路系统。