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紧束缚方法计算石墨烯能带结构
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紧束缚方法计算石墨烯能带结构
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石墨烯 能带计算
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利用vasp工具计算石墨烯的的电子结构,自己在计算时整理的笔记
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利用vasp工具计算石墨烯的能带结构,态密度,以及自选密度分布和光学性质。这篇笔记是自己在写毕业论文时跟着师哥师姐在学校集群上做计算时整理的笔记,对vasp计算的原理不太了解,只会这个简单的过程,里面有错误之处,尽情指正,十分感谢。
Mathematics画石墨烯能带结构
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用Mathematics软件编写代码画出石墨烯能带结构图,附件中包含代码及得出的结果
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紧束缚模型
石墨烯能带图绘制 matlab
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利用平面波展开发计算二维光子晶体的能带结构
用VASP计算能带结构(英文版)
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利用VASP来计算能带结构,这是英文版的,是有兴趣可以翻译成中文的。
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基于局域密度近似(LDA或GGA)的密度泛函理论计算往往低估体系的禁带宽度,而这一低估时窄带隙半导体尤为严重.尽管基于混合泛函的密度泛函理论能有效地修正这一误差,但是由于计算量较大仍无法用于计算较大体系.本文发展了一组能够比较准确描述CdTe和HgTe晶体电子结构的紧束缚参数.将基于混合泛函的密度泛函计算结果作为输入,我们构建了正交的sp^3s^*基组下的紧束缚模型.此模型能够比较准确地描述能带结
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聚对苯乙炔的能带结构和关联能计算 (2009年)
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采用matlab计算石墨烯电导率的Kubo公式
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Q_band_ZB:计算Zinc Blende半导体的电子能带结构
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Q_band_ZB 计算Zinc Blende半导体的电子能带结构。 共有3种型号,可以打开/关闭: ->经验伪电位法(EPM) ->原子轨道(LCAO)或紧密结合(sp3s *)的线性组合 -> kp 8band,使用Dresselhaus,Kip和Kittel(DKK)表示法以及Luttinger参数(EP,F,g1,g2,g3)
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用平面波展开法计算能带曲线,结构是周期AB结构
堆叠方法与堆叠层数对扶手型石墨烯纳米带电子能带的影响 (2012年)
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根据紧束缚模型理论,研究了AA堆叠与AB堆叠的双层扶手型石墨烯纳米带和少层扶手椅型石墨烯纳米带的能带结构,并相应地给出了解析解.改变双层扶手型石墨烯纳米带空间的拓扑结构,能带与能隙也相应地随之变化;另外,当扶手型石墨烯纳米带的带宽n不变时,随着层数的增加,能带结构随之变化,能隙则成指数型减小.
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hamatutu
2022-06-01
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