是采用薄膜或厚膜工艺在介质衬底表面制作以分布参数为主的微波
电路,其中有源器件和集总参数元件(电容,电阻等)通过键合,焊
接或压接加到衬底表面。70 年代 HMIC 发展迅速,应用广泛,使原
先用分立元件实现的微波系统在小型化,轻量化方面起了变革,性能
与价格方面也有所得益,而且逐渐出现了集成度提高的多功能
HMIC。HMIC 的发展对微波技术本身起了推动作用,并为单片微波
集成电路的研制奠定了基础。 MMIC 的含义是采用半导体多层工艺
(如外延,离子注入,溅射,蒸发,扩散等方法或这些方法与其他方
法的结合)将所有的微波或毫米波有源器件或无源元件(包括连接线)
制成一整体或制作于半绝缘衬底表面以实现单个芯片的功能部件或
整件。近 10 年来,MMIC 事业蓬勃发展,归因于:性能优良的 GaAs
半绝缘衬底材料的大量应用及外延,离子注入等工艺的成熟,
MESFET 的大力开发并已成为多用途器件;肖特基势垒二极管与各种
MESFET(包括双栅 FET)可用相同工艺在同一衬底上制作;特别是
可进行精确定模和优化设计的 CAD 工具日臻完善。与功能相同的
HMIC 相比,MMIC 的体积,重量可减至 1/100 或更小(频率愈低,
减少愈多,在 L 波段可减至 1/1000,或更小)。因 MMIC 适于批加工,
在材料均匀性好和工艺成熟的前提下可实现良好的电性能一致。由于
大大减少接插件,联线和外接元器件,可靠性改善因数可达 20---100,
由于寄生参量减至最小,MMIC 具有宽带本能,其抗辐射能力也较强。
但 MMIC 也有其缺点。首先。采用半导体工艺在衬底上制成的电路,
从占有面积来看,无源元件比有源元件大,因此不仅价格高,也不利