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TechnischeInformation/TechnicalInformation
DDB6U75N16W1R
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:DK
approvedby:MB
dateofpublication:2013-11-05
revision:2.0
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
T
vj
= 25°C V
RRM
1600 V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
T
C
= 100°C I
FRMSM
65 A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
T
C
= 100°C I
RMSM
90 A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I
FSM
605
470
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
t
p
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
p
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I²t
1850
1100
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
T
vj
= 150°C, I
F
= 65 A V
F
1,10 V
Sperrstrom
Reversecurrent
T
vj
= 150°C, V
R
= 1600 V I
R
1,00 mA
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode R
thJC
0,65 0,72 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiode
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
R
thCH
0,80 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
T
vj op
°C