IPB60R055CFD7 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

英飞凌的IPB60R055CFD7是一款基于超级结（Superjunction）原理设计的CoolMOS CFD7系列高压功率MOSFET。这款芯片旨在为软开关应用提供优化平台，如零电压开关（ZVS）相移全桥和LLC谐振转换器。该技术是英飞凌科技的创新成果，它显著提升了高电压MOSFET的性能。 1. **超快速体二极管**：IPB60R055CFD7具有超快速体二极管特性，这意味着在反向恢复期间能更快地切换，从而减少能量损耗，提高整体效率。 2. **低栅极电荷**：芯片的低栅极电荷（Qg）减少了开关损耗，使得在高速开关操作中更加高效，有助于提升系统的整体性能。 3. **最佳反向恢复电荷**：其最佳反向恢复电荷（Qrr）确保了在电流反向流动时的快速且平滑过渡，降低了开关过程中的损耗，提高了效率。 4. **增强的MOSFET反向二极管耐用性**：改善的MOSFET反向二极管的dv/dt和diF/dt耐受性增强了芯片在恶劣工作条件下的稳定性和可靠性。 5. **最低FOM RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss**：这是衡量MOSFET效率的重要指标，低的FOM（figure of merit）意味着更低的导通电阻与栅极电荷乘积，以及更低的导通电阻与输出电容乘积，这将直接影响到设备的功率损失。 6. **最佳级RDS(on)**：在表面安装器件（SMD）和通孔封装（THD）中，IPB60R055CFD7拥有业界领先的导通电阻，进一步提高了在各种应用中的效率。 7. **优点**： - 出色的硬换相耐用性，使得芯片在严苛条件下仍能保持稳定。 - 对于谐振拓扑结构，提供了最高级别的可靠性。 - 优秀的易用性与性能平衡，实现最高效率。 - 支持更高的功率密度解决方案，使设计更紧凑、更轻便，发热量更小。 8. **潜在应用**：IPB60R055CFD7特别适合于软开关拓扑，包括优化的相移全桥（ZVS）和LLC应用，如服务器、电信设备和电动汽车充电等领域。 9. **产品验证**：该产品已按照工业应用的JEDEC标准进行全面合格认证，确保了在各种环境下的可靠运行。 在并联使用MOSFET时，通常建议在栅极上使用铁氧体珠或独立的对地回路（totem pole），以改善性能和稳定性。表1列出了关键性能参数，这些参数详细描述了芯片的各项具体指标，为设计者提供了详细的参考数据。