IRF9530NS INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

《IRF9530NS 英飞凌芯片中文版规格书手册》是关于英飞凌公司生产的IRF9530NS芯片的详细技术文档，该芯片是一款高性能的第五代HEXFET功率MOSFET。以下是该芯片的主要特点和关键参数： 1. **连续漏极电流（ID）**：在25°C环境下，当栅源电压VGS为-10V时，芯片可承受的最大连续漏极电流为-14A；而在100°C环境下，该值降至-10A。这意味着芯片在不同温度下能安全处理的电流水平。 2. **脉冲漏极电流（IDM）**：最大脉冲漏极电流限制为-56A，适用于短时间高电流的脉冲应用。 3. **最大功率耗散（PD）**：在25°C下，最大功率耗散为3.8W，而当环境温度上升到25°C时，这一数值可达到79W，但需线性降额，每增加一度，功率耗散减少0.53W。 4. **栅源电压（VGS）**：芯片可承受的栅源电压范围为±20V。 5. **热特性**：结壳热阻（RθJC）典型值为1.9°C/W，表明芯片内部热量从结转移到外壳的效率。而结大气热阻（RθJA）在PCB安装、稳态条件下，通常超过40°C/W，这会影响芯片在环境中的散热能力。 6. **抗雪崩能量（EAS, IAR）**：单脉冲雪崩能量最大为250mJ，重复雪崩能量为7.9mJ，表示芯片具有良好的耐冲击和过载能力。 7. **峰值恢复di/dt**：芯片的峰值恢复di/dt不超过-5.0V/ns，确保了快速开关性能。 8. **工作和存储温度范围**：操作结温介于-55°C至175°C，存储温度范围为-55°C至+175°C。 9. **焊接温度和安装扭矩**：芯片可以承受10秒钟内1.6mm远离外壳的300°C焊接温度，安装扭矩推荐为10lbf·in（1.1N·m）。 10. **封装与优势**：IRF9530NS采用D2Pak表面贴装封装，适合大电流应用，具有低内部连接电阻，能有效散发高达2.0W的功率。此外，IRF9530NL是低剖面的通孔封装，适合空间有限的场合。 这款芯片的设计结合了先进的工艺技术，实现了非常低的导通电阻，同时具备快速切换速度、P沟道结构、全面的雪崩评级等优点，使其在各种应用中表现出极高的效率和可靠性，如电源管理、电机驱动、开关电源和负载开关等。