IPB050N10NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf

IPB050N10NF2S 英飞凌芯片规格书手册 本资源是英飞凌（Infineon）公司出品的IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）型号IPB050N10NF2S的规格书手册。该芯片是一种N-Channel强IRFETTM Power-Transistor，旨在满足广泛的应用领域。 主要特点 * Optimized for a wide range of applications * N-Channel, normal level * 100% avalanche tested * Pb-free lead plating; RoHS compliant * Halogen-free according to IEC61249-2-21 * Product validation Qualified according to JEDEC Standard 关键性能参数 * VDS：100V * RDS(on), max：5.05mΩ * ID：103A * Qoss：67nC * QG：51nC 应用领域 * 适用于各种电源系统，包括服务器、数据中心、电信设备等 * 适用于汽车电子、工业控制、医疗设备等领域 * 适用于Renewable Energy、Smart Grid、Electrical Vehicle等领域 包装信息 * Package：TO-263 * Marking：IPB050N10NF2S * Package Outlines：详见规格书手册 规格书目录 * Description * Maximum ratings * Thermal characteristics * Electrical characteristics * Electrical characteristics diagrams * Package Outlines * Revision History * Trademarks * Disclaimer 规格书内容 规格书手册详细介绍了IPB050N10NF2S的技术参数、应用领域、包装信息、thermal characteristics、electrical characteristics等信息，为设计人员和工程师提供了详细的参考依據。