IPT013N08NM5LF INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf

英飞凌IPT013N08NM5LF是一款高性能的N沟道MOSFET，属于OptiMOS™ 5线性场效应晶体管系列，适用于80V的工作电压环境。这款芯片设计独特，特别适合在热插拔和电子熔丝应用中使用。以下是对这款芯片主要特性和技术参数的详细说明： 1. **关键性能参数**： - **最大 Drain-Source 电压 (VDS)**：80V，这意味着芯片能承受的最大电压差为80V。 - **最大漏源导通电阻 (RDS(on))**：1.3mΩ，这是一个衡量MOSFET导通时电阻的指标，数值越小，导通时的功率损失越小，效率越高。 - **最大连续电流 (ID)**：333A，表示芯片在正常工作条件下可处理的最大直流电流。 - **脉冲电流 (Ipulse)**：在VDS=40V，脉冲持续时间为10毫秒时，芯片能承受的最大脉冲电流为13A。 2. **特性**： - **非常低的RDS(on)**：使得在低功耗应用中表现出色，降低电源转换和电路控制的损耗。 - **宽安全操作区 (SOA)**：确保芯片在各种工作条件下的稳定性和可靠性。 - **N沟道、正常电平触发**：与标准逻辑信号兼容，便于系统集成。 - **100%雪崩测试**：确保在过载情况下也能安全工作。 - **无铅电镀，符合RoHS标准**：不含有害物质，符合环保要求。 - **符合IEC61249-2-21的卤素免费**：对环境友好。 3. **封装与标识**： - **封装类型**：HSOF，这是一种小型表面安装封装，适合高密度PCB布局。 - **封装标记**：PG-HSOF-8013N08LF-2。 - **订单代码**：IPT013N08NM5LF。 4. **技术规格**： - **最大额定值**：包括电压、电流、功率等在不同条件下的极限值，确保在设计时不会超出其安全工作范围。 - **热特性**：如热阻、结温等，用于计算和预测芯片在不同散热条件下的温度表现。 - **电气特性**：包括栅极阈值电压、输入电容、输出电容等，这些参数影响开关速度和驱动能力。 - **电气特性曲线**：提供了电流与电压关系的图形数据，帮助理解芯片在不同工作状态下的行为。 - **封装轮廓**：描述了芯片在电路板上的实际尺寸和形状，对于布局和焊接非常重要。 5. **修订历史**和**商标信息**：记录了规格书的更新历程，并列出了相关品牌和知识产权。 这款英飞凌IPT013N08NM5LF MOSFET凭借其优秀的性能参数和广泛的应用场景，在电源管理、负载切换、保护电路等领域有着广泛的应用。设计工程师在使用时，应根据具体应用需求，结合这些技术规格来优化电路设计，确保系统稳定、高效运行。