IRFB7440PBF INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

IRFB7440PBF是一款由英飞凌（INFINEON）制造的HEXFET Power MOSFET（场效应晶体管），适用于多种电力转换和驱动应用。该芯片以其高效率、耐用性和优化的特性而著称。 1. **HEXFET结构**：HEXFET（Hexagonal Field Effect Transistor）是一种功率MOSFET的设计，它通过六角形的栅极布局提高了电流密度和开关性能，减少了寄生电感，从而提供了更好的开关特性。 2. **栅极耐受性**：IRFB7440PBF具有优异的栅极耐受性，能够承受高门极电压，确保在各种工作条件下稳定工作，减少损坏风险。 3. **击穿和动态dv/dt耐受性**：芯片被设计为能够承受高雪崩能量和快速变化的电压（dv/dt）和电流（di/dt），这使得它在高压、高速开关环境中表现出色。 4. **增强型体二极管**：该器件内部集成的体二极管具有良好的反向恢复特性，能支持高速切换和高dV/dt和dI/dt能力，降低了反向恢复电流产生的损耗。 5. **温度特性**：图1展示了随着门极至源极电压（VGS）的变化，典型的导通电阻（RDS(on)）如何改变。图2显示了最大漏极电流（ID）随封装外壳温度（TC）的变化情况，表明该器件在广泛的工作温度范围内保持稳定。 6. **封装类型**：IRFB7440PBF采用TO-220AB封装，适合高功率应用。TO-220封装提供了良好的散热性能，有助于管理芯片工作时产生的热量。 7. **应用范围**：这款器件适用于无刷直流电机驱动、电池供电电路、半桥和全桥拓扑、同步整流器、谐振模式电源、并联或冗余电源开关、DC/DC和AC/DC转换器以及逆变器等应用。 8. **电气参数**：IRFB7440PBF的最大漏极至源极电压（VDSS）为40V，典型的导通电阻（RDS(on)）为2.0mΩ，最大值为2.5mΩ，持续漏极电流（ID）可达到172A，但实际应用中受到封装限制，最大额定电流为120A。 9. **环境友好**：该产品符合RoHS标准，不含铅且为卤素免费，符合现代电子产品的环保要求。 10. **热管理**：尽管该器件的电流限制主要由结温（TJmax）决定，但需要注意的是，设备引脚的加热可能会对电流承载能力产生额外限制。建议考虑安装和散热方案来确保长期稳定运行。 11. **脉冲评级**：脉冲宽度受到最大结温限制，例如，在特定条件下，脉冲宽度不得超过400微秒，占空比不超过2%。 12. **电容特性**：有效的栅极-源极电容（Coss eff.）在上升时间和下降时间提供一致的充电时间，有助于改善开关效率。 IRFB7440PBF是一款高性能的功率MOSFET，特别适合需要高效、可靠和低损耗的电力转换系统。其特性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥出色性能。