IRLB8748PBF 英飞凌 infineon 电子元器件芯片.pdf

IRLB8748PBF是一款由英飞凌（Infineon）制造的高性能电力MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率电源转换应用。这款芯片的特点在于其极低的导通电阻（RDS(on)）在4.5V的栅极电压（VGS）下仅为3.8至6.8毫欧，这极大地提高了效率并减少了功率损耗。此外，它的门极电感极低，确保了快速开关操作，适合高频电源管理电路。 该MOSFET经过了充分的雪崩电压和电流特性测试，能够承受一定的过载条件，增加了使用的安全性。IRLB8748PBF符合无铅标准，符合环保要求，适合各种应用，特别是不间断电源（UPS）和逆变器系统。同时，它在计算机处理器电源的高频同步降压转换器中也有出色表现，以及电信和工业领域中采用同步整流技术的隔离型DC-DC转换器。 在电气参数方面，MOSFET的最大漏源电压（VDS）为30V，最大栅源电压（VGS）为30V。连续漏极电流（ID）在25°C时，当VGS为10V时，硅片限制下的电流为30A，而封装限制下的电流则会因温度升高而降低。脉冲漏极电流（ID）可以更高，但要确保不超过最大功率耗散（PD）的限制。 MOSFET的热性能也得到了优化，结壳热阻（RθJC）为2.0°C/W，平底油脂表面的壳散热器热阻（RθCS）为0.5°C/W，而结到环境的热阻（RθJA）则为62至75°C/W。这些参数对于在高功率应用中保持良好的散热至关重要。操作和存储温度范围分别为-55至+175°C，而瞬时的焊接温度为300°C，持续10秒。 静态特性方面，MOSFET的阈值电压（VGS(th)）在1.35至2.35V之间，且随温度上升有负斜率的系数。漏源泄漏电流（IDSS）和门极源极正向和反向泄漏电流（IGSS）在正常工作条件下非常低，以保证低静态功耗。正向传输导纳（gfs）是衡量门极控制漏极电流能力的指标，其值为196μS，总门极电荷（Qg）为152至230nC，包括预阈值和超过阈值后的门极源极电荷（Qgs1和Qgs2），以及门极漏极电荷（Qgd）和门极源极反向电荷（Qgod）。这些参数影响MOSFET的开关速度和响应时间。 IRLB8748PBF是一款高效、高性能的电力MOSFET，特别适合于需要高速、低损耗转换的电源系统设计。其优秀的热管理和电气特性使其成为工业、电信和计算机应用的理想选择。