IMYH200R075M1H INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

英飞凌的IMYH200R075M1H是一款基于CoolSiC™技术的2000伏特硅碳化硅（SiC）沟槽MOSFET，该芯片以其卓越的性能和创新的.XT互联技术而备受瞩目。这款MOSFET在结温为25℃时的漏源电压（VDSS）为2000V，持续电流（IDCC）为34A，而栅极电压为18V、结温为25℃时的导通电阻（RDS(on)）仅为75毫欧姆。其低切换损失特性使其在高效率应用中表现出色。 该MOSFET的门阈电压（VGS(th)）被设计为4.5V，确保了稳定的操作，并且具有一个坚固的体二极管，适用于硬换流应用。英飞凌的.XT互联技术显著提升了器件的热性能，这意味着在高功率运行时，芯片能够更有效地散热，从而提高系统可靠性并延长使用寿命。 IMYH200R075M1H适用于多种应用，包括太阳能逆变器、太阳能电源优化器和电动汽车充电设备。这些领域都依赖于高性能、高效率和高可靠性的电力转换组件。英飞凌的这款MOSFET已经通过了JEDEC47/20/22的相关工业应用测试，确保了其在严苛环境下的稳定性。 封装方面，IMYH200R075M1H采用PG-TO247-4-PLUS-NT1420M1H075封装，标记为IMYH200R075M1H。值得注意的是，源极和感测接触引脚（1-漏极，2-源极，3- kelvin感测接触，4-栅极）是不可互换的，交换它们可能导致功能异常（仅适用于4引脚，TO263-7L封装）。为了确保最佳性能和安全性，用户应严格遵循产品规格书中的安装和使用指南。 英飞凌还提供了相关的应用说明AN2019-05，其中详细介绍了功率和热循环测试的指导，这为设计工程师提供了有关如何优化MOSFET在实际系统中性能的宝贵信息。 总结来说，IMYH200R075M1H是一款专为高压、高效应用设计的SiC MOSFET，凭借其独特的.XT技术、低损耗和高耐压特性，成为新能源、电力转换和电动汽车充电领域的重要元件。英飞凌作为业界领先的企业，其产品经过严格验证，可为用户提供高质量、可靠的电子元器件解决方案。