实验一 :扩展存储器读写实验
一.实验要求
编制简单程序,对实验板上提供的外部存贮器(62256)进行读写操作。
二.实验目的
1.学习片外存储器扩展方法。
2.学习数据存储器不同的读写方法。
三.实验电路与连线
将 P1.0 接至 L1。CS256 连 GND 孔。
四.实验说明
1.单片机系统中,对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。用户藉此来熟悉 MCS51 单片机编程的基本规则、基本指令的使用和使用本仿真实验系
统调试程序的方法。
用户编程可以参考示例程序和流程框图。本示例程序中对片外存贮器中一固定地址单元进行读写操作,并比较读写结果是否一致。不一致则说明读写
操作不可靠或该存储器单元不可靠,程序转入出错处理代码段(本示例程序通过熄灭一个发光二极管来表示出错)。读写数据的选用,本例采用的是 55
(0101,0101)与 AA(1010,1010)。一般采用这两个数据的读写操作就可查出数据总线的短路、断路等,在实际调试用户电路时非常有效。
用户调试该程序时,可以灵活使用单步、断点和变量观察等方法,来观察程序执行的流程和各中间变量的值。
2.在 I 状态下执行 MEM1 程序,对实验机数据进行读写,若 L1 灯亮说明 RAM 读写正常。
3.也可进入 LCA51 的调试工具菜单中的对话窗口,用监控命令方式读写 RAM,在 I 状态执行 SX0000↓ 55,SPACE, 屏幕上应显示 55,再键入
AA,SPACE,屏幕上也应显示 AA,以上过程执行效果与编程执行效果完全相同。
注:SX 是实验机对外部数据空间读写命令。
4.本例中,62256 片选接地时,存储器空间为 0000~7FFFH。