在的CPU制造工艺已经接近物理极限，所以在可见的尺寸上变化并不明显。CPU的生产工艺进步主要体现在以下几个方面：
首先，微缩技术的进步。CPU的制造工艺通常以纳米为单位，如早期的28nm、22nm、14nm、10nm、7nm等，这些数字指的是晶体管栅极的宽度。随着工艺的提升，晶体管变得更小，意味着单位面积上可以容纳更多的晶体管，从而提升CPU的性能和能效比。然而，当工艺达到7nm以下时，面临的挑战包括量子效应、热管理、光刻技术限制等，使得微缩变得更加困难。
其次，FinFET（鳍式场效应晶体管）技术的引入。在22nm节点之后，传统的平面晶体管难以维持性能提升，FinFET技术的出现解决了这个问题。FinFET的晶体管结构形似鳍片，增加了控制电流的表面积，减少了漏电流，提高了晶体管的开关效率，从而提升了CPU性能。
再者，新材料的应用。为了继续提升CPU性能，半导体行业也在探索新的材料，如高κ绝缘体和金属栅极，替代传统的二氧化硅和多晶硅，以降低晶体管的漏电流，提高开关速度。
此外，3D堆叠技术的运用。随着二维平面扩展的困难，CPU开始采用三维堆叠的方式，比如Intel的3D XPoint内存技术和AMD的3D V-Cache技术，通过垂直堆叠不同类型的内存和逻辑层，实现性能的提升，而不需要显著增加芯片的物理尺寸。
最后，封装技术的创新。先进的封装技术如Chiplet（小芯片）和EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）允许将不同功能的硅片组合在一起，形成一个整体的系统级封装，这样可以在不增加单个芯片尺寸的前提下，提升整体系统的性能和集成度。
总之，虽然CPU的物理尺寸没有显著减小，但通过上述技术的不断发展，CPU的性能仍在持续增强，同时能效比也在不断提高。在面临物理极限的同时，半导体行业正在寻找新的突破路径，如量子计算、神经网络芯片等，以应对未来计算需求的增长。
