silvaco-atlas操作文档

【Silvaco Atlas 操作文档】是针对使用Silvaco Atlas这一二维半导体器件模拟软件的详细教程，旨在帮助用户理解并能独立定义器件和进行仿真。Silvaco Atlas基于物理模型，能够模拟半导体结构的电学特性，揭示器件在工作状态下的内部物理机制。 在ATLAS仿真中，主要涉及两个输入文件：一个是包含执行指令的文本文件，另一个是定义仿真结构的结构文件。仿真完成后，ATLAS会产生三类输出文件：运行输出文件记录仿真过程及可能出现的错误和警告，记录文件保存端电压和电流的数据，而结果文件则存储特定偏置点下的二维或三维变量解。 运行ATLAS的步骤如下： 1. 启动Exceed XDMCP Broadcast，选择ASIC-V890并输入用户名和密码。 2. 在终端窗口输入“deckbuild –as&”启动ATLAS。 以NMOS结构的仿真为例，具体操作包括： 1. 创建NMOS结构，需依次定义网格、材料区域、电极、掺杂、材料类型、物理模型和接触类型。 2. 生成Vds=0.1V时的Id-Vgs曲线，以确定器件参数如阈值电压Vt、载流子迁移率Beta和表面态密度Theta。 3. 通过改变Vgs值（1.1V、2.2V和3.3V），生成不同条件下的Id-Vds曲线。 建立NMOS结构的网格定义： 1. 在“ATLAS Mesh”界面中，先选择构造新网格，然后在X和Y方向定义网格位置和间距，确保网格覆盖整个结构。 2. 接下来定义材料区域，利用`region`命令将网格划分为具有不同材料属性的区域，例如，定义氧化层、GaN层和AlxGa1-xN层。 通过这样的详细步骤，用户能够逐步了解和掌握Silvaco Atlas的操作，实现对半导体器件的精确建模和仿真，从而优化器件设计和性能。在实际应用中，用户可以根据自己的需求调整参数，进行各种复杂的器件特性和行为研究。