模拟电子技术基础课件：第九讲 场效应管放大电路.ppt

《模拟电子技术基础课件：第九讲 场效应管放大电路》主要涵盖了场效应管的基础知识，特别是作为放大电路的应用。场效应管是一种半导体器件，它通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力。相较于双极型三极管，场效应管有诸多优势，如体积小、耗电少、寿命长、输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低以及制造工艺简单等，因此在集成电路中有着广泛的应用。 根据结构和工作原理，场效应管主要分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET），包括金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。JFET由P型和N型半导体构成，通过控制PN结的电压来改变导电通道。而MOSFET则由绝缘栅极和半导体材料组成，其核心在于金属氧化物层，能实现绝缘栅极对导电沟道的控制。 学习场效应管，需要掌握其工作原理，比如MOSFET的工作状态：增强型和耗尽型。增强型MOSFET在无偏置电压时没有导电沟道，当栅源电压VGS超过阈值电压VT时，会在半导体表面形成导电沟道。而耗尽型MOSFET在无偏置电压时已有导电沟道，改变VGS可以改变沟道的电阻。 在放大电路应用中，场效应管可以用于共源、共漏配置，需要理解这些配置下的直流偏置和动态性能。例如，共源放大电路常用于电压放大，具有较高的电压增益和较大的输出电阻；而共漏放大电路则提供低输出电阻和较高的输入电阻，适用于电流放大或缓冲电路。 学习本课程时，应对比场效应管与双极型三极管，理解两者在结构、工作原理、外特性和主要参数上的差异，以及它们所构成的放大电路在直流偏置和动态分析上的异同。此外，不同类型的场效应管，如N沟道和P沟道，以及增强型和耗尽型之间的比较也是重要的学习内容。 总结来说，本课件重点介绍了场效应管的基本概念、分类、工作原理以及在放大电路中的应用，旨在帮助学生深入理解并掌握这一关键的电子技术基础知识。通过比较、归纳和实际电路分析，学生能够熟练运用场效应管进行电路设计和分析。