模拟电子技术基础知识点总结.doc

《模拟电子技术基础》知识点详解 模拟电子技术是电子工程领域的基础课程，主要涉及半导体器件、放大电路等核心内容。本文将围绕文档标题和描述，深入解析相关知识点。 一、半导体基础知识 1. 半导体：半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质，如硅(Si)和锗(Ge)。它们具有光敏、热敏和掺杂特性。 2. 本征半导体：纯净、单晶结构的半导体，无杂质。 3. 载流子：半导体中的电荷载体，包括带正电的空穴和带负电的电子。 4. 杂质半导体：通过掺杂不同元素（三价或五价）改变半导体性质，形成P型和N型半导体。 - P型半导体：掺入三价元素，多子为空穴，少子为电子。 - N型半导体：掺入五价元素，多子为电子，少子为空穴。 5. 杂质半导体特性：载流子浓度取决于杂质浓度，体电阻与杂质种类和掺杂浓度相关。 6. PN结： - 接触电位差：硅约0.6~0.8V，锗约0.2~0.3V。 - 单向导电性：正向导通，反向截止。 二、半导体二极管 1. 半导体二极管具有单向导电性，正向导通，反向截止。 - 正向导通压降：硅约0.6~0.7V，锗约0.2~0.3V。 - 死区电压：硅约0.5V，锗约0.1V。 2. 分析方法：采用图解分析法和等效电路法分析二极管在电路中的状态。 三、稳压二极管与稳压电路 稳压二极管在反向击穿状态下工作，常用于稳定电路电压。 四、三极管及其基本放大电路 1. 三极管类型：NPN和PNP，基区薄且掺杂浓度低，发射区掺杂高，集电区掺杂较高。 2. 工作原理： - 三极管有共发射极、共基极和共集电极三种工作状态。 - 电流放大系数β表示三极管是电流控制器件。 - 穿透电流ICEO是基极开路时集电极电流。 3. 特性曲线： - 输入特性曲线类似二极管。 - 输出特性曲线分为放大区、饱和区和截止区。 4. 低频小信号等效模型： - hie表示输入电阻。 - hfe表示正向电流传输比。 五、基本放大电路 1. 组成部分及其作用：VT（电源）、VCC（电源电压）、Rb（基极电阻）、Rc（集电极电阻）、C1、C2（耦合电容）等。 2. 组成原则：放大、不失真、可传输信号。 3. 图解分析法： - 直流通路分析静态工作点，直流负载线决定静态工作点位置。 - 交流通路分析动态信号放大，交流负载线描述放大后的输出特性。 4. 静态工作点与非线性失真： - 截止失真：Q点太低，可通过减小Rb提高Q点。 - 饱和失真：Q点太高，增大Rb、减小Rc或增大VCC可解决。 5. 动态范围：放大器的最大不失真输出电压峰峰值(Uopp)决定了其工作范围。 通过以上知识点的学习，我们可以理解和设计简单的模拟电子电路，如二极管开关电路、稳压电路和三极管放大电路。对于更复杂的电路，需要进一步学习放大器的频率响应、噪声分析和稳定性等高级话题。