"半导体常规电学参数测试模板PPT学习教案"
本资源是关于半导体常规电学参数测试的学习教案,主要介绍了半导体硅单晶导电型号的测量方法、半导体硅单晶电阻率的测量方法等知识点。
1. 半导体硅单晶导电型号的测量方法
半导体硅单晶导电型号的测量是通过冷热探笔法和三探针法来实现的。冷热探笔法是利用冷热探笔与半导体样品接触,在与冷热探笔接触点之间产生电势差,根据温差电流的方向判断样品的导电类型。三探针法是利用三个探针在半导体样品上压上,针距在 0.15-1.5mm 范围,在探针 1 和探针 2 之间接上交流电源,在探针 2 和探针 3 之间接上检流计,根据检流计的指针偏转的方向来判断晶体的导电类型。
2. 半导体硅单晶电阻率的测量
半导体硅单晶电阻率的测量是通过测量半导体材料的电阻率来实现的。电阻率是荷电载体流经材料时受到阻碍的一种量度,对于半导体材料,电阻率反映了补偿后的杂质浓度。电阻率是杂质浓度差的函数,式中 NA 为受主杂质浓度,ND 为施主杂质浓度,μp为空穴迁移率,q 为电子电荷。
3. 导电类型的判定
导电类型的判定是通过冷热探笔法和三探针法来实现的。在冷热探笔法中,通过检流计的指针偏转的方向来判断样品的导电类型。如果指针向正方偏转,被测样品为 P 型;如果指针向负方向偏转,被测样品为 N 型。在三探针法中,通过探针 1 和探针 2 之间的电流方向来判断晶体的导电类型。
4. 测试原理
测试原理是基于温差电动势的原理。温差电动势是由于半导体材料的热扩散效应所产生的电势差。在冷热探笔法中,冷热探笔与半导体样品接触,产生电势差,根据温差电流的方向判断样品的导电类型。
5. 测量方法
测量方法包括冷热探笔法和三探针法。冷热探笔法是通过冷热探笔与半导体样品接触,在与冷热探笔接触点之间产生电势差,根据温差电流的方向判断样品的导电类型。三探针法是利用三个探针在半导体样品上压上,针距在 0.15-1.5mm 范围,在探针 1 和探针 2 之间接上交流电源,在探针 2 和探针 3 之间接上检流计,根据检流计的指针偏转的方向来判断晶体的导电类型。
6. 测准因素分析
测准因素分析包括冷热探笔法和三探针法的测量范围、表面要求、探针接触压力、电磁场的干扰等因素。在冷热探笔法中,测量范围是 1000Ω.cm 以下,表面要求是无反型层、无氧化层,清洁无污,对表面进行喷砂或研磨处理。在三探针法中,测量范围是 1-1000Ω.cm,表面要求是无反型层、无氧化层,清洁无污,对表面进行喷砂或研磨处理。