1 、对电容器瓷的一般要求:
① 、介电系数大,以制造小体积、重量轻的陶瓷电容
器, ε↑→ 电容器体积↓→整机体积、重量↓
② 、介质损耗小, tgδ= ( 1~6 ) ×10
-7
,保证回路的
高 Q 值 。 高 介 电 容 器 瓷 工 作 在 高 频 下 时
ω↑ 、 tgδ↑ 。
③ 、对 I 类瓷,介电系数的温度系数 α
ε
要系列化。对
II 类瓷,则用 ε 随温度的变化率表示(非线性)。
I 类瓷
II 类瓷
§ 7-1 概述
第 1 页 / 共 66 页
dT
d
1
C
C
o
o
TC
25
25