### IPM与IGBT的应用问题含电路、布线设计
#### 一、IPM与IGBT的基本概念
##### 1.1 IGBT简介
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是一种由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和BJT(双极型晶体管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它具有驱动功率小而饱和压降低的优点,在中大容量电力电子设备中得到广泛应用。
##### 1.2 IPM简介
IPM(Intelligent Power Module,智能功率模块)是一种集成度非常高的功率半导体模块,它将IGBT与驱动电路以及必要的保护电路封装在一起。这样做的优点是可以大大简化用户的电路设计,并且提高了整体系统的可靠性。通常,IPM包含以下几部分:
- **IGBT**:用于开关操作。
- **驱动电路**:用于驱动IGBT工作。
- **保护电路**:提供过流、短路、过热和控制电源欠压等多种保护功能。
#### 二、IGBT的栅极驱动设计
##### 2.1 栅极驱动电路设计要点
栅极驱动电路是IGBT正常工作的关键之一。为了确保IGBT可靠地工作,栅极驱动电路的设计至关重要。以下是一些关键的设计要素:
- **开通电压**:一般为+15V(±10%),确保IGBT能够可靠导通。
- **关断电压**:通常为-5至-10V,利用负偏压帮助IGBT快速关断,减少关断损耗。
- **栅极电阻RG**:推荐值应在所给最小值与最大值之间选取,以确保驱动电流足够且不会引起不必要的损耗。
- **驱动电流**:驱动电流的峰值和平均值需要根据实际应用情况来计算。驱动电流的大小直接影响IGBT的开关速度和损耗。
##### 2.2 驱动方式
- **采用驱动IC驱动**:这是最常见的方式,适用于大多数情况。
- **直接驱动**:适用于低功率或小电流IGBT。
- **经过一级放大后驱动**:用于驱动大电流模块。
#### 三、驱动电路布线设计注意事项
##### 3.1 减少寄生电感
为了减小寄生电感的影响,需要尽量减小驱动电路输出级到IGBT之间的回路面积。寄生电感的存在会导致电压尖峰,增加开关损耗并可能导致IGBT损坏。
##### 3.2 避免噪声耦合
- **合理布局**:将驱动板放置在远离噪声源的位置,并适当使用屏蔽措施。
- **使用辅助发射极端子**:连接驱动电路时,推荐使用辅助发射极端子,以进一步减少寄生电感。
- **使用绞合线或带状线**:如果直接连接到IGBT控制端子不可行,则建议使用绞合线(至少每英寸3圈的最小长度)或带状线。
- **低电感保护钳位**:保护钳位应尽可能靠近IGBT的门极-发射极控制端子,以减少寄生电感。
- **避免相互间潜在变化**:避免将受IGBT开关影响的信号线布置得太近,以减少因高dv/dt造成的噪声耦合。
##### 3.3 其他注意事项
- **减少寄生电容**:高侧驱动电路与控制电路之间的寄生电容可能会导致噪声耦合的问题,需要采取措施减少这些寄生电容。
- **光耦隔离**:如果使用光耦进行高侧驱动信号隔离,则要求光耦具有最小10,000V/μs的共模瞬态免疫能力。
#### 四、IPM的应用实例
##### 4.1 三相AC380V输入时所用智能功率模块产品
在三相交流380V输入的应用场景中,智能功率模块(IPM)可以极大地简化设计流程,并提高系统的可靠性和效率。例如,在电机驱动应用中,IPM可以直接接受来自微控制器(MCU)或数字信号处理器(DSP)的控制信号,通过内部驱动电路驱动IGBT,并提供各种保护功能。
##### 4.2 IPM变频应用电路框图示例
一个典型的IPM变频应用电路框图可能包括以下几个主要部分:
- **三相整流桥**:用于将交流电源转换为直流电源。
- **CPU**:控制整个系统的运行,包括IPM的工作状态。
- **电机**:最终负载,通过IPM控制其转速和扭矩。
- **保护电路**:内置于IPM中,提供过流、短路、过热和控制电源欠压等保护功能。
IPM与IGBT在电路设计中的应用非常广泛,尤其在工业自动化、电动汽车、可再生能源等领域发挥着重要作用。正确设计栅极驱动电路和布线方案,对于充分发挥IGBT的性能、确保系统稳定运行至关重要。