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碲镉汞探测器的回顾与展望.docx
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碲镉汞探测器的回顾与展望.docx
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0. 引 言
红外探测器技术不仅是一个需要掌握材料与工艺的技术领域,而且是一个存在无数未
知、但又充满活力的科学领域。
在光子型红外探测器发展历程中,1958 年英国人劳森(Lawson)与其合作者发明的
窄禁带化合物半导体——Hg
1−x
Cd
x
Te 三元合金半导体
[1-2]
,迄今为止仍然是最重要的红外探
测器材料,具有下列突出优点:
(1)红外“大气窗口”和甚长波红外全覆盖
对光子型红外探测器,截止波长 λ
c
与半导体材料禁带宽度 E
g
的关系为:
Eg(eV)≈1.24λc(μm)Eg(eV)≈1.24λc(μm)
(1)
根据公式(1),要探测“大气红外透射窗口”的长波红外 12 μm、中波红外 5 μm、短波红
外 2.5 μm,需要禁带宽度分别为 0.10、0.25、0.50 eV 的窄禁带半导体材料。因此,发明能
“人工设计和控制窄禁带半导体的禁带宽度以响应指定红外波长”始终是红外探测器材料的
发展方向之一。
Hg
1−x
Cd
x
Te 是三元合金半导体材料,改变组份 x 能精确控制禁带宽度
[3]
:
Eg=−0.302+1.93x−0.81x2+0.832x3+5.35×10−4(1−2x)TEg=−0.302+1.93x−0.81x2+0.832x3+5.35×10−4(1−2x)T
(2)
式中:E
g
的单位为 eV;T 是绝对温度,单位 K。Hg
1−x
Cd
x
Te 禁带宽度覆盖短波、中
波、长波红外和甚长波红外波段。表 1 展示了组分 x 与禁带宽度 E
g
、截止波长 λ
c
、本征载
流子浓度 n
i
等材料物理参数的关系。Hg
1−x
Cd
x
Te 材料典型组分为 0.194、0.205、0.225、
0.31、0.44、0.62,分别对应的截止波长为甚长波 16.9 μm、长波 13.6 μm、长波 10.1 μm、
中波 4.6 μm、短波 2.6 μm 和 1.7 μm
[3]
(1 Å=0.1 nm)。
表 1 Hg
1−x
Cd
x
Te 材料的重要组分与物理参数表
[3]
Tab. 1 Important alloy compositions and physical parameters for Hg
1−x
Cd
x
Te
Hg
1−
x
Cd
x
Te
Property
x
HgTe
0
0.194
0.205
0.225
0.31
0.44
0.62
CdTe
1.0
a
/Å
6.461
6.464
6.464
6.464
6.465
6.468
6.472
6.481
77 K
77 K
77 K
77 K
140 K
200 K
250 K
300 K
E
g
/eV
−0.261
0.073
0.091
0.123
0.272
0.474
0.749
1.490
λ
c
/μm
—
16.9
13.6
10.1
4.6
2.6
1.7
0.8
n
i
/cm
−3
—
1.9 ×
10
14
5.8 × 1
0
13
63 ×
10
12
3.7 ×
10
12
7.1 ×
10
11
3.1 ×
10
10
4.1 ×
10
5
m
c
/m
0
—
0.006
0.007
0.010
0.021
0.035
0.053
0.102
g
c
—
−150
−118
−84
−33
−15
−7
−1.2
ε
s
/
ε
0
20.0
18.2
18.1
17.9
17.1
15.9
14.2
10.6
ε
s
/
ε
0
14.4
12.8
12.7
12.5
11.9
10.8
9.3
6.2
n
r
3.79
3.58
3.57
3.54
3.44
3.29
3.06
2.50
μ
c
/cm
2
·V
−1
·s
−1
—
4.5 ×
10
5
3.0 × 10
5
1.0 ×
10
5
—
—
—
—
μ
h
/cm
2
·V
−1
·s
−1
—
450
450
450
—
—
b
=
μ
c
/
μ
ηη
—
1 000
667
222
—
—
—
τ
R
/
μ
s
—
16.5
13.9
10.4
11.3
11.2
10.6
2
τ
Al
/
μ
s
—
0.45
0.85
1.8
39.6
453
4.75 ×
10
3
τ
typical
/
μ
s
—
0.4
0.8
1
7
—
—
—
E
p
/eV
19
ΔΔ/eV
0.93
m
hh
/
m
0
0.40-0.53
ΔΔ/eV
0.35-0.55
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| 显示表格
(2)直接带隙和本征吸收
HgCdTe 是直接带隙半导体材料,在主能带之间的本征吸收系数高达 10
4
/cm 量级
[4]
,
因此能多吸收入射红外光子,获得接近 100%的量子效率,在 2π 立体角视场即到达 300 K
背景限的理论探测极限。图 1 展示了不同红外探测器在 1~10 000 μm 波段范围内的归一化
探测率 D
*
。在 77 K 温度时,HgCdTe 光伏(Photovoltaic, PV)和光导(Photoconductive,
PC)型红外探测器在中波和长波红外波段就达到最高 D
*
,在短波红外波段的性能也很好
[4]
。
图 1 不同的红外探测器在 1~10 000 μm 波段范围内、在指定工作温度时的探测能力比较
[4]
Fig. 1 Comparison of the D* of various available detectors when operated at the indicated
temperature and in the region of 1−10 000 μm waveband
[4]
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(3) 自由电子有效质量小、迁移率高
HgCdTe 材料的自由电子有效质量 m
c
/m
0
小且与带隙相关。表 1 中,组分 x 为 0.194、
0.203、0.225、0.31、0.44、0.62 时,HgCdTe 的 m
c
/m
0
分别为 0.006(77 K)、0.007(77
K)、0.010(77 K),相应的自由电子迁移率为 4.5×10
5
cm
2
/(V·s)、3.0×10
5
cm
2
/(V·s)和
1.0×10
5
cm
2
/(V·s) ,因此对入射红外光的响应速度快。
(4) 光生少数载流子寿命长
高质量 HgCdTe 材料光生少数载流子寿命的主要机制是本征复合,少数载流子寿命长
达微秒量级(数值详见表 1),使 HgCdTe 探测器在液氮温度(77 K)即可达到理论背景
限探测性能。工程上使用斯特林制冷机、脉管制冷机、节流制冷器等即能制冷到液氮温
度,大幅度降低了对制冷的要求。
(5) 可获得大尺寸 CdTe/Cd
1−x
Zn
x
Te 单晶衬底
现已获得大直径、高品质 CdTe/Cd
1−x
Zn
x
Te 单晶衬底,特别是精确控制 Cd
1−x
Zn
x
Te 晶
体中镉的组分,能满足晶格参数匹配的 Hg
1−x
Cd
x
Te 薄膜材料外延生长,极大降低失配位错
密度;另外还发展了 GaAs 替代衬底,通过生长 CdTe 缓冲层实现与 Hg
1−x
Cd
x
Te 的晶格匹
配,也能满足高质量 Hg
1−x
Cd
x
Te 薄膜材料外延生长。
(6) HgCdTe 材料生长技术获得突破性进步
第一代 HgCdTe 探测器技术采用体材料生长技术,第二代 HgCdTe 探测器技术采用液
相外延(Liquid Phase Epitaxy, LPE)薄膜材料生长技术,第三代和第四代 Hg
1−x
Cd
x
Te 探测
器技术采用金属有机物气相化学淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)
和分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)薄膜材料技术。从表 2 展示的体材料、LPE
和 MOCVD、MBE 生长 HgCdTe 晶体参数表中
[5]
可看出,MOCVD 和 MBE 生长的 HgCdTe
晶体尺寸大,组分均匀性高,能在生长过程中掺杂直接形成 p-n 结和进行原位钝化,将生
长 HgCdTe 薄膜材料发展成“生长器件”,既替代了第二代 HgCdTe 焦平面探测器列阵芯片
制备的离子注入成结工艺,避免了离子注入造成 HgCdTe 晶格损伤在探测元中引入暗电
流,又能制备出 p-on-n 结构和双层异质结等,为制备大规模、小像元、双色/双波段
HgCdTe 焦平面列阵芯片奠定了材料和器件基础(表中,1 torr≈133.322 Pa)。
表 2 体材料、LPE 和 MOCVD、MBE 方法 生长 HgCdTe 的对比
[5]
Tab. 2 Comparison of the various methods used to grow HgCdTe, including bulk, LPE,
MOCVD, and MBE
[5]
Bulk
Travelling heater
method
Liquid phase epitaxy
Vapour phase epitaxy
SSR
HCT melt
Te melt
Hg melt
Te melt
MOCVD
MBE
Temperature/℃
950
950
500
350-550
400-550
275-400
160-200
Pressure/torr
150 000
150 000
760-8
000
760-11 400
760-8 000
300-760
10
−3
-10
4
Growth rate/μm·h
−1
250
250
80
30-60
5-60
2-10
1-5
Dimensions/cm
0.8-1.2
dia
0.8-1.2
dia
2.5 dia
5
5
7.5 dia
7.5 dia
l
/cm
-
-
-
6
5
4
4
t
/cm
15
15
5
0.000 2-
0.003 0
0.000 5-
0.012
0.000 5-
0.001
0.000 5-
0.001
Dislocations/cm
−2
<10
5
-
<10
5
<10
5
<10
5
-10
7
5 × 10
5
-5
×10
7
<5 × 10
4
-5
×10
6
Purity/cm
−3
<5 ×
10
14
<5 ×
10
14
<5 ×
10
14
<5 × 10
14
<5 × 10
14
<1× 10
15
<1 × 10
15
Bulk
Travelling heater
method
Liquid phase epitaxy
Vapour phase epitaxy
SSR
HCT melt
Te melt
Hg melt
Te melt
MOCVD
MBE
n-type doping/cm
−3
N/A
N/A
N/A
1 × 10
14
-1
× 10
18
1 × 10
15
-1
× 10
16
5 × 10
14
-1
× 10
18
5 × 10
14
-1
× 10
19
p-type doping/cm
−3
N/A
N/A
N/A
1 × 10
15
-1
× 10
18
1 × 10
15
-1
× 10
16
3 × 10
15
-1
× 10
17
5 × 10
16
-1
× 10
18
X-ray rocking
curve/(")
-
-
20-60
<20
<20
50-90
20-30
Compositional
uniformity (Δ
x
)
<0.002
<0.004
<0.005
<0.002
<0.002
±0.01-
0.000 5
±0.01-
0.000 6
下载: 导出 CSV
| 显示表格
(7) HgCdTe 材料的热膨胀系数与 Si 材料的很接近
HgCdTe 探测器列阵芯片通过 In 柱列阵倒装、环孔互连在 Si 基读出电路芯片上,制
备成混合式焦平面探测器。HgCdTe 材料的热膨胀系数为 5.0×10
−6
/K,Si 材料的为
2.8×10
−6
/K
[5]
,两者很接近,故能将大尺寸面阵(例如 4 096×4 096)HgCdTe 探测器列阵芯
片互连在 Si 读出电路芯片上(图 2),而不会在制冷过程中因热胀冷缩应力使探测器列阵
芯片破裂。
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