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基于倒脊型结构石墨烯偏振无关电光调制器设计.docx
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2022-12-15
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石墨烯作为一种二维材料,因其独特性质在光电子领域中备受关注。它的恒定吸收、高载流子迁移率和电导率可控制等特性使其成为电光调制器的理想选择。然而,由于石墨烯的各向异性,传统的石墨烯调制器通常存在偏振敏感的问题,只能在特定的偏振状态下工作。 为了克服这一限制,科研人员提出了倒脊型结构的石墨烯偏振无关电光调制器设计。这种设计是将石墨烯片以一定角度倾斜置于硅基波导中,使得石墨烯与水平和垂直偏振光的两个分量都能有效交互,从而实现偏振无关的电光调制。通过仿真分析,这种调制器在1.55微米的工作波长下,可以同时有效地调制TE和TM模式,并在1.5至1.6微米的波长范围内具有良好的消光比。 石墨烯的电光调制特性主要依赖于其对光的吸收和电导率的调控。石墨烯的吸收率大约为2.3%,并且可以通过改变其内部载流子浓度(通过施加电压)来调整。电导率由带内和带间跃迁决定,其中化学势的改变直接影响电导率,从而影响光吸收。此外,石墨烯的介电系数也有两个分量——垂直和平行于平面的,平行介电系数可通过外部电压进行调控,影响其光吸收特性和电光性能。 器件的设计原理结合了模式转换概念,通过结构设计使TE和TM模式在调制区域内具有相似的响应,减少了偏振相关损耗。这种设计简化了结构,降低了工艺复杂性,更利于集成到光电子系统中。 倒脊型结构石墨烯电光调制器利用石墨烯的独特光学和电学性质,结合创新的结构设计,成功解决了偏振敏感问题,提高了调制效率和适用性,为未来光通信和光电子集成提供了新的可能。这种调制器不仅在理论上具有重要意义,而且在实际应用中有望推动高速、低能耗光信息处理技术的发展。
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石墨烯从问世至今,受到了研究者的广泛关注,已经发展为二维材料及其异质结构研
究的新前沿。它具有宽光谱范围内恒定吸收
[1-2]
、极高的载流子迁移率
[3]
、电可控电导率、
与 CMOS 工艺兼容等诸多优点,被广泛应用于光电子器件领域,其中基于石墨烯的电光调
制器是石墨烯在光电子器件领域的重要应用之一。由于石墨烯是一种各向异性的二维材料
[4]
,石墨烯波导中不同导模与石墨烯的重叠程度不同,导致石墨烯调制器具有偏振敏感的
缺点。目前多数基于石墨烯的调制器是偏振相关的
[5-9]
,只能在一个单偏振态下工作。随
后,文献[10-12]提出了多种结构的石墨烯偏振无关电光调制器,其主要思想是通过改变石
墨烯在波导中的相对位置,实现部分石墨烯面能够与水平偏振方向的 TE 模式相互作用,
而另一部分石墨烯面能够与垂直偏振方向的 TM 模式相互作用。但这些结构复杂,对工艺
要求高,不便于集成。
基于上述情况,本文提出了一种倒脊型结构硅基石墨烯电光调制器,通过将石墨烯片
以一定角度倾斜放置在硅波导中,使得石墨烯片与入射光在水平和垂直方向上的分量都有
较好的重叠效果,实现电光调制器的偏振无关。通过仿真计算了在 1.55 μm 的工作波长,
该器件调制下的 TE 和 TM 模式的有效模式参数变化情况,1.5~1.6 μm 的工作波长下 TE
和 TM 模式消光比及其差异,及该器件 3 dB 的调制带宽。
1. 石墨烯的电光调制特性
石墨烯材料对光有着独特的吸收特性,其光透射率为:
T=(1+0.5πα)−2≈1−πα≈0.977T=(1+0.5πα)−2≈1−πα≈0.977
(1)
式中,α=e2/4πε0ℏc=δ0/(πε0c)≈1/137α=e2/4πε0ℏc=δ0/(πε0c)≈1/137。单层石墨烯片
对于可见光到近红外波段的吸收率可达 2.3%
[1]
。除此之外,研究表明石墨烯的吸收能力是
有限度的,即当光强达到某一量度值时,其吸收能力也相应地达到峰值,不会随着光强的
增加而增加。
由于石墨烯的吸收特性受到其载流子浓度的影响,而通过对石墨烯片施加一定的电压
会引起其内部载流子浓度的变化,进而改变其吸收特性。石墨烯的光吸收特性本质上是载
流子的带内和带间跃迁,其电导率为:
δ(ω)=δintra+δinterδ(ω)=δintra+δinter
(2)
δintra=δ04μπ1ℏ(τ−11−ω)δintra=δ04μπ1ℏ(τ1−1−ω)
(3)
δinter=δ0[1+1πarctan(ℏω+2μℏτ−12)−1πarctan(ℏω+2μℏτ−12)−i2π⎛⎝(ℏω+2μ)2+(ℏτ−12)2(ℏω+2μ)2−(ℏτ−12)2⎞⎠⎤⎦δinter=δ0[1+1πarctan(ℏω+2μℏτ2−1)−1πarctan(ℏω+2μℏτ2−1)−i2π((ℏω+2μ)2+(ℏτ2−1)2(ℏω+2μ)2−(ℏτ2−1)2)]
(4)
通过施加一定的电压对石墨烯的化学势进行调控:
|μ|=ℏvFπ|a0(Vg−VD)|−−−−−−−−−−−−√|μ|=ℏvFπ|a0(Vg−VD)|
(5)
式中,|Vg−VD||Vg−VD|为外加偏置电压;a0=ε0εr/dea0=ε0εr/de 根据平板电容模型得
到,其中 d 为间隔层厚度,e 为电子电量。从式(5)可以看出,石墨烯内部电子能带间的跃
迁可以通过对其施加一定的外加电压来改变。石墨烯化学势影响下的电导率变化如图 1 所
示。
除了通过电导率来表征石墨烯的光吸收能力电学可控,一般的材料特性也由其介电系
数来决定。石墨烯各向异性的特性,使得其介电系数主要存在两个分量:面内垂直介电系
数 ε⊥ε⊥和面内平行介电系数 ε∥ε∥。其中面内垂直介电系数不受外加偏振电压的影响,始
终保持为 2.5,而面内平行介电系数则与其电导率有关:
ε∥ω=1+iδω/ωε0dgε∥ω=1+iδω/ωε0dg
(6)
从上式看出,可以通过外加电压来调控其平行于面内方向上的介电系数,如图 2 所
示。当外加电压的值在 0.4 eV 附近时,其实部值达到峰值而虚部值则呈现下降的趋势;当
外加电压小于 0.51 eV 时,其两部分的值都大于零,这时材料只表现出普通的介电特性;
而当外加电压大于 0.51 eV 时,实部值由正变负,虚部值降低并趋于零,接近金属材料的
电光特性,此时表现出强吸收的能力。
图 1 石墨烯化学势的变化对其电导率的影响
下载: 全尺寸图片 幻灯片
图 2 石墨烯化学势的变化对其面内介电系数的影响
下载: 全尺寸图片 幻灯片
2. 器件结构设计及原理
在近些年来陆续提出的各种偏振无关调制器中,有些采用的是基于模式转换的原理,
即调制前将 TE 转换为 TM 模式,或将 TM 转换为 TE 模式,从而在调制区域内获得相同的
调制效果。这种方法虽然在一定程度上实现了偏振无关调制,且减小了调制器的偏振相关
损耗,但由于需要在调制区域前加一个模式转换结构,从而使得整个器件的尺寸变得更
大,在工艺上也更加复杂,尤其是模式转换结构中,工艺误差会对其模式转换效率造成影
响,导致整个器件的调制性能也受到影响。
基于此,本文提出了基于倒脊型波导结构的电光调制器。图 3a 为该器件的三维结构
图,图 3b 为该倒脊型偏振无关石墨烯电光调制器的横截面波导示意图。其原理基于石墨烯
各向异性的介电特性
[4]
,波导中无论是以水平还是垂直方式嵌入的石墨烯与入射光信号的
不同偏振分量的相互作用效果不同,即:若石墨烯片被水平放置在波导中时,它与 TM 模
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