漏压对P-GaN HEMT导通电阻和阈值电压的影响.docx

漏压对P-GaN HEMT导通电阻和阈值电压的影响 P-GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）是一种高电子迁移率的晶体管，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等优点。但是，P-GaN HEMT也存在一些缺陷，例如电子陷阱的困扰，会导致动态导通电阻和阈值电压的变化，从而影响器件的可靠性和稳定性。 漏压对P-GaN HEMT导通电阻和阈值电压的影响是非常重要的研究课题。漏压的大小和施压时间都会对阈值电压和导通电阻产生影响。如果漏压太大或施压时间太长，可能会导致阈值电压和导通电阻的变化，从而影响器件的可靠性和稳定性。 本文选取两种常用的 GaN 商用器件，分析了其结构和原理，然后对阈值电压 VTH 和导通电阻 Ron 进行测试和分析。结果表明，无 P-GaN 漏极结构的器件只有导通电阻受漏极电压和加压时间影响较大；有 P-GaN 漏极结构器件的阈值电压受漏极电压和加压时间影响较大。 对于 P-GaN HEMT，漏压的影响是非常复杂的。漏压可以导致电子陷阱的俘获和释放，影响阈值电压和导通电阻的变化。同时，漏压也可以影响器件的稳定性和可靠性。如果漏压太大或施压时间太长，可能会导致器件的故障。 为了研究 P-GaN 器件的可靠性，需要对其进行详细的测试和分析。本文通过对两种 P-GaN 商用器件的测试，得出了漏压对阈值电压和导通电阻的影响规律。结果表明，漏压的大小和施压时间都会对阈值电压和导通电阻产生影响。 本文的研究结果对于 P-GaN HEMT 的设计和制造具有重要的参考价值。同时，本文的研究结果也为 P-GaN HEMT 的可靠性和稳定性提供了重要的参考依据。 漏压对 P-GaN HEMT 导通电阻和阈值电压的影响是非常重要的研究课题。本文的研究结果对于 P-GaN HEMT 的设计和制造具有重要的参考价值。同时，本文的研究结果也为 P-GaN HEMT 的可靠性和稳定性提供了重要的参考依据。