研究生 半导体物理复习题
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2023-10-12
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1 在低温、高掺杂浓度的硅中，起主要散射作用的一般是（电离杂质散射）
随着温度的升高，晶格振动越为剧烈。因而对载流子的散射作用也越强。从而导致迁移率越低。
在掺杂浓度比较低时，电子的迁移率随温度的变化十分明显。
这表明在低掺杂浓度的条件下，电子的迁移率主要受晶格振动散射的影响。
温度越高，载流子热运动的程度就会越剧烈，载流子通过离化杂质电荷中心附近所需的时间就会越短，离化
杂质散射所起的作用也就越小，迁移率越大。
离化杂，质浓度越高，散射中心增多，载流子遭受散射的机会越多，迁移率越小。
-电阻率(电导率)同时受载流子浓度(杂质浓度)和迁移率的影响，因而电阻率和杂质浓度不是线性关系。
-杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线，主要原因：迁移率随杂质浓度的增加而显著下降。
-对于非本征半导体来说，材料的电阻率(电导率)主要和多数载流子浓度以及迁移率有关。
-由于电子和空穴的迁移率不同，因而在一定温度下，不一定本征半导体的电导率最小。
高纯样品或杂质浓度较低的样品中，晶格振动散射起主要作用，电离杂质散射可以忽略
温度升高，迁移率减小。
随着杂质浓度的增大，电离杂质散射影响增大，但仍以晶格振动散射为主。
温度升高，迁移率减小，但是减小的幅度不大
杂质浓度很高时低温范围内，以电离杂质散射为主；温度升高，迁移率增大
高温范围内，以晶格振动散射为主；温度升高，迁移率减小
温度一定时，晶格振动散射的影响不变，随着杂质的增多，散射越强，因此迁移率越小
在热平衡条件下，电子在不同能量的量子态上统计分布几率一-定。根据量子统计理论，服 2 从泡利不相容原
理的电子遵循费米统计分布。 ，玻尔兹曼分布函数
3 施主杂质和受王杂质之间有相互抵消作用，通常称为( 杂质补偿)
4 强电场下，载流子温度比晶格温度高，平均能量比晶格的大，这种状态的载流子称为热载流子。，欧姆定
律不成立。弱场下，遵循欧姆定律。
5 理想 pn 结内，电容有势垒电容和扩散电容，PN 结反偏时主要体现势垒电容，正偏扩散电容。
6. 电子迁移率最大的是（D）
A 未参杂非晶硅 B 未参杂单晶锗 C 参 P 多晶硅 D 未参砷化镓
7.半导体中载流子的电输运包括（ ）。漂移 扩散
8 电子的漂移电流的方向，与( 电场方向 )相同。
9决定半导体的载流子迁移率的因素有（ ）电导有效质量 温度
10对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半导体，决定其迁移率的主要的散射机制是（ ）。光学波
声子散射
11下列关于硅的电子电导率的描述正确的是（ D ）。
A. 表示单位电场下的电流大小 B.与电场大小无关
C.只要本征激发不起主导作用，温度越高，则电导率越大
D.室温下，同一块本征硅的电子电导率比空穴电导率大
12已 知 仅 掺 杂 磷 的 n 型 硅 样 品 ， 且 其 室 温 时 的 电 阻 率 为 ， 则 其 掺 杂 浓 度 最 可 能 为
( ) 。
13.
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