创建IBIS模型 系统级仿真

"创建IBIS模型 系统级仿真" IBIS建模是系统级仿真中的一种重要技术，它可以帮助设计人员预见问题，避免费用高昂的修改。IBIS模型是一种行为模型，通过电流与电压(I-V)和电压与时间(V-T)数据来描述器件的数字接口。 创建IBIS模型是一个复杂的过程，需要考虑器件的数字接口类型、工作电源电压范围、温度和工艺等因素。在这个过程中，需要使用LTspice仿真工具来提取I-V、V-T、斜坡和C_comp数据，并使用定性和定量FOM方法来验证IBIS模型的性能。 在创建IBIS模型时，需要考虑器件的数字接口类型、工作电源电压范围、温度和工艺等因素。例如，在创建三态数字缓冲器的IBIS模型时，需要考虑单端CMOS缓冲器的类型、工作电源电压范围、温度和工艺等因素。 IBIS模型的组件或关键字取决于模型类型，包括Model_type、C_comp、GND_Clamp、Power_Clamp、下拉、上拉、V-T表、斜坡和I/O等。这些组件或关键字都是IBIS模型的基本组成部分。 在本文中，我们使用了一个假设的ADxxxx器件的LTspice模型来创建IBIS模型，并详细介绍了如何使用LTspice仿真工具来提取I-V、V-T、斜坡和C_comp数据，如何使用定性和定量FOM方法来验证IBIS模型的性能。 创建IBIS模型的五个基本步骤是：建立预建模程序，对从SPICE模型中提取的C_comp、V-I和V-T数据进行LTspice仿真，格式化IBIS文件，使用IBIS解析器测试检查文件，比较IBIS模型与SPICE模型在相同加载条件下的仿真结果。 IBIS模型提供典型数据、最小数据和最大数据，它们通过工作电源电压范围、温度和工艺来确定。在仿真中，需要考虑器件的数字接口类型、工作电源电压范围、温度和工艺等因素，以确保IBIS模型的准确性和可靠性。 创建IBIS模型是一个复杂的过程，需要考虑许多因素，并使用LTspice仿真工具和定性和定量FOM方法来验证IBIS模型的性能。