IGBT测试方法.doc

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是绝缘栅双极型晶体管，是一种重要的电力电子器件，广泛应用于电力转换、电机控制等领域。对于IGBT的测试，是确保设备正常运行和故障排查的重要环节。本篇文章将详细阐述IGBT的测试方法。 测试IGBT的续流二极管（FWD）的正向压降VF是关键步骤之一。通过使用万用表的二极管档，短接门极和发射极，红表笔接发射极，黑表笔接集电极进行测量。正常的VF值应在0.3V至0.7V之间。VF值过高可能表明FWD芯片或邦定线存在断开问题，而VF值过低则可能意味着FWD或IGBT芯片存在短路。由于不同万用表的内部电阻和电压读数差异，VF值仅作为判断FWD芯片是否正常的标准，不能与数据手册上的参数直接比较。 利用电阻档检查模块内部IGBT管的集电极-发射极（C-E）以及门极-发射极（G-E）或门极-集电极（G-C）的电阻。正常情况下，这些电阻值应显示在兆欧级别以上，表示IGBT处于截止状态。如果测量出的电阻值较低，可能意味着IGBT内部存在短路或击穿现象。需要注意的是，如果模块连接有驱动板，门极-发射极电阻值会表现为泄放电阻，通常为几千欧姆。 此外，还可以使用电容档测量门极的Cies电容，正常情况下，其值应在几纳米法拉到几十纳米法拉之间，若测量值偏离正常范围，可能表示门极存在故障。 在实际应用中，不同功率等级的电机需要匹配不同型号和规格的IGBT。例如，15KW电机推荐使用12KT4型IGBT，驱动电阻为12欧姆，电流传感器的采样电阻为100欧姆，峰值电流对应的阻值为100欧姆；而30KW电机可能需要8.2欧姆的驱动电阻，100mm/200A的电流采样电阻，峰值电流对应的阻值为100欧姆和130欧姆并联。 总结一下，IGBT的测试主要包括续流二极管的正向压降测试、电阻测试以及电容测试，通过这些测试可以判断IGBT的工作状态，识别潜在的故障，确保电力系统稳定运行。在具体应用中，还需根据电机功率和工作条件选择合适的IGBT型号和配套元件，以保证系统的高效和安全。