IGBT测试方法.doc
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2021-05-07
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测量 IGBT 方法
一、使用说明
1：out 2：- 3：+ 用上桥时：6、7 短接 用下桥时：4、5 短接
二、测量方法
① 用二极管档，可以测量续流二极管的正向压降 VF。短接 门极-发射极，用万用表红表笔接发射极，黑
表笔接集电极，测试正常模块 VF 会在 0.3~0.7V 左右，VF 过大说明 FWD 芯片或邦定线断开，过小说明
FWD 或 IGBT 芯片出现短路。
VF 的大小与正向电流 IF 有关，如下图所示，不同万用表测试电路中的电阻和电压存在一定的差异，因此
会导致测量结果的差异，所以此测试值并不能与其他万用表测试值做对比，更不能代表数据手册上的数据，
此测试值没有其它意义，只可以简单判定 FWD 芯片好坏。
② 电阻档
测量模块内各个 IGBT 管的集电极-发射极之间的阻值，短接门极-发射极，万用表红表笔接集电极，
黑表笔接发射极，正常模块电阻数值显示一般在兆欧级以上。
分别测量模块内各个 IGBT 管相门极-发射极（门极-集电极）之间的阻值。万用表红、黑表笔分别接
于门极和发射极（门极和集电极），正常模块同样显示高阻态。当模块上连接有驱动板时，门极 -发
射极电阻值等于泄放电阻，一般为数千欧。
简单归纳数字万用表判别 IGBT 好坏步骤如下：
步骤 档位 显示结果 判别结果
1
二极管档
FWD 压降 0.3~0.7V FWD 芯片正常
压降过小
FWD 芯片或 IGBT 芯片
短路
压降过大
FWD 芯片断路、或邦定
线断裂
2
电阻档
Rce、Rge、Rgc 高阻
态
CE、GE、GC 没有短路
Rce、Rge、Rgc 低阻
态
CE、GE、GC 击穿或短
路
3
电容档 Cies 容值几 nF 到几十
nF
门极正常
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