《模拟电子技术》是一门涉及电子设备和系统的基础课程，主要关注模拟信号的处理和放大。这份经典习题集包含了关于PN结、二极管、三极管、场效应管等核心概念的练习题目和答案。
1. PN结是半导体器件的基础，正向偏置时，P区连接电源正极，N区连接电源负极，电流可以顺利通过；反向偏置时，电流几乎不流动，形成阻断。
2. 硅二极管和锗二极管的特性有所不同，硅二极管的死区电压约0.5V，导通后的正向压降为0.6～0.8V；而锗二极管的死区电压约0.1V，导通后的正向压降为0.2～0.3V。
3. 三极管分为NPN型和PNP型，依据材料又可分为硅管和锗管。作为电流控制型器件，其放大能力由β（电流增益）衡量，正常工作需要发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力由跨导gm表示，其主要特点是输入电阻非常高，因此适合用于需要高输入阻抗的电路。
5. 不能将1.5V的干电池正向接在二极管两端，因为这样会使得二极管导通，导致电池短路，造成电流过大。
6. 图1.52所示的题目中，根据二极管的导通和截止条件，可以分析出不同情况下二极管的状态以及A、B两端的电压。
7. 图1.53所示的题目，当输入电压ui为6sinωt(V)时，可以通过分析二极管的导通和截止状态来画出输出电压uO的波形。
8. 图1.54的电路中，二极管导通电压为0.7V，通过分析ui的变化，可以画出对应的uo波形。
9. 图1.55展示了不同三极管的工作状态，包括损坏、放大和饱和状态。
10. 图1.56中的电压测量可以帮助识别硅管或锗管，以及判断管子的工作状态。
11. 场效应管输入电阻高的原因是其栅源极间的输入电阻本质上是PN结的反向电阻，而这个反向电阻通常远大于三极管的输入电阻。
12. 图1.57展示了N沟道和P沟道JFET的符号，箭头方向表示PN结的正偏方向。
13. N沟道增强型和耗尽型MOS管以及P沟道的相应类型可以通过其电路符号进行区分。
14. 图1.58中的转移特性曲线揭示了FET的类型，夹断电压和饱和漏极电流。
15. 图1.59的MOS管转移特性表明了沟道类型以及增强型或耗尽型MOS管的开启电压或夹断电压。
16. 图1.60的电路中，要使发光二极管正常工作，开关S必须闭合，且电阻R的取值范围应确保二极管正向电流在5～15mA之间。
17. 图1.61中，稳压管的稳压值和稳定电流的最小值决定了电路的输出电压，根据欧姆定律和稳压管的工作特性可以计算出Uo1和Uo2。
这些习题覆盖了模拟电子技术的基础知识，通过解答这些题目，学生可以加深对二极管、三极管、场效应管特性和应用的理解，掌握模拟电路分析和设计的基本技能。
