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详细介绍内存芯片的基本概念,工作原理,时序和时延以及芯片性能提升的方法。对SDR SDRAM和DDR SDRAM做了透彻的比较,并带入了内存模组的相关介绍。
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SDRAM 内存模组的物理 Bank 与芯片位宽
我们平时看到的 SDRAM 都是以模组形式出现,为什么要做成这种形式呢?解释这一点首先要接触到两个概念:
物理 Bank 与芯片位宽。
1、 物理 Bank
内存系统为了保证与 CPU 的正常通信,必须一次传输完 CPU 在一个传输周期内所需要的数据。而 CPU 在一个
传输周期能接收的数据容量就是 CPU 数据总线的位宽,单位是 bit(位)。控制内存与 CPU 之间数据交换的北
桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于 CPU 数据总线的位宽,而这个位宽就称之为内存物理 Bank
(Physical Bank,下文简称 P-Bank)的位宽。所以内存必须要组织成 P-Bank 来与 CPU 打交道。
2、 芯片位宽
上文已经讲到 SDRAM 内存系统必须要组成一个 P-Bank 的位宽,才能与 CPU 正常通信,那么这个 P-Bank
位宽怎么得到呢?这就涉及到内存芯片的结构。
每个内存芯片也有自己的位宽,即每个传输周期能提供的数据量。理论上,完全可以做出一个位宽为 64bit 的芯
片来满足 P-Bank 的需要,但这对技术的要求很高,在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都
较小。台式机市场所用的 SDRAM 芯片位宽最高也就是 16bit,常见的则是 8bit。这样,为了组成 P-Bank 所需
的位宽,就需要多颗芯片并联在一起工作。对于 16bit 芯片,组成一个 P-Bank 需要 4 颗(4×16bit=64bit)
SDRAM 芯片, 对于 8bit 芯片,组成一个 P-Bank 则需要 8 颗 SDRAM 芯片。
P-Bank 其实就是一组内存芯片的集合,这个集合的容量不限,但这个集合的总位宽必须与 CPU 位宽一致。随
着计算机应用的发展,一个系统只有一个 P-Bank 已经不能满足容量的需要。所以,芯片组开始可以支持多个
P-Bank,一次选择一个 P-Bank 工作, 这就有了芯片组支持多少(物理)Bank 的说法。
DIMM 是 SDRAM 集合形式的最终体现,每个 DIMM 至少包含一个 P-Bank 的芯片集合。在目前的 DIMM 标
准中,每个模组最多可以包含两个 P-Bank 的芯片集合,虽然理论上可以在一个 DIMM 上支持多个 P-Bank,
比如 SDRAM DIMM 有 4 个芯片选择信号(Chip Select,简称片选或 CS),理论上可以控制 4 个 P-Bank 的
芯片集合,只是由于种种原因而没有这么去做,比如设计难度、制造成本、芯片组的配合等。至于 DIMM 的面
数与 P-Bank 数量的关系,在之前的专题中已经明确了,面数≠P-Bank 数。
SDRAM 的逻辑 Bank 与芯片容量表示方法
1、逻辑 Bank 与芯片位宽
讲完 SDRAM 的外在形式,就该深入了解 SDRAM 的内部结构了。这里主要的概念就是逻辑 Bank。简单地说,
SDRAM 的内部是一个存储阵列,因为如果是管道式存储(就如排队买票),就很难做到随机访问了。
SDRAM 存储阵列就如同表格,和表格的检索原理一样,先指定一行(Row),再指定一列(Column),就可
以准确地找到所需要的单元格,这是内存芯片寻址的基本原理。对于内存,这个单元格称为存储单元,那么这个
表格(存储阵列)叫什么呢?它就是逻辑 Bank(Logical Bank,下文简称 L-Bank)。
L-Bank 存储阵列示意图
由于技术、成本等原因,不可能只做一个全容量的 L-Bank,而且最重要的是,由于 SDRAM 的工作原理限制,
单一的 L-Bank 将会造成非常严重的寻址冲突,大幅降低内存效率。所以人们将 SDRAM 内部分割成多个 L-
Bank,较早以前是两个,目前基本都是 4 个,这也是 SDRAM 规范中的最高 L-Bank 数量。在最新的 DDR-Ⅱ
的标准中,L-Bank 的数量提高到了 8 个。
这样,在进行寻址时就要先确定是哪个 L-Bank,然后再在这个选定的 L-Bank 中选择相应的行与列进行寻址。
可见对内存芯片的访问,一次只能是一个 L-Bank 工作。
从前文可知,SDRAM 内存芯片一次传输的数据量就是芯片的位宽,而这个数据量也是一次行&列寻址所对应的
存储单元的容量(也是 L-Bank 的位宽)。
2、内存芯片的容量
显然,内存芯片的容量就是内存芯片中所有 L-Bank 的存储单元的容量总和,即内存芯片中存储单元的数量 X 单
个存储单元的容量。
存储单元数量=行数×列数(得到一个 L-Bank 的存储单元数量)×L-Bank 的数量
单个存储单元的容量=内存芯片的位宽
我们通常用 M×W 的方式来表示芯片的容量, M 代表芯片中存储单元的总数,单位通常是兆,W 代表每个存
储单元的容量,也即是芯片的位宽(Width),单位是 bit,以此计算出来的芯片容量单位也是 bit。
上图是某公司对自己内存芯片容量的表示方法,我们计算一下后会发现这三个规格的容量都是 128Mbits,只是
由于位宽的变化引起了存储单元数量的变化。从这个例子可以看出,在相同的容量下,位宽可以采用多种不同的
设计。
3、与芯片位宽相关的 DIMM 设计
为什么在相同的容量下,芯片位宽会有多种不同的设计呢?这主要是为了满足不同领域的需要。我们已经知道
P-Bank 的位宽是固定的,当芯片位宽确定下来后,一个 P-Bank 中芯片的个数也就确定了,而前文讲过 P-
Bank 对芯片集合的位宽有要求,对芯片集合的容量则没有限制。高位宽的芯片可以让 DIMM 的设计简单一些
(因为所用的芯片少),而当芯片容量相同时,采用低位宽芯片的模组则可以获得更大的模组容量,因为芯片位
宽越低,在一个 P-Bank 中可以容纳的芯片就越多。比如上文中那个内存芯片容量标识图,容量都是 128Mbit,
合 16MB。如果 DIMM 采用双 P-Bank & 16bit 设计,那么模组只能容纳 8 颗芯片,容量总计 128MB。但如
果采用双 P-Bank & 4bit 设计,则模组可容纳 32 颗芯片,容量总计 512MB。DIMM 容量前后相差 4 倍,可
见芯片位宽对 DIMM 设计的影响。8bit 位宽芯片是桌面台式机内存容量与成本之间平衡性较好的选择,所以在
市场上也最为普及,而高于 16bit 位宽的芯片一般用在需要更大位宽的场合,如显卡等,至于 4bit 位宽芯片很
明显非常适用于大容量内存应用领域,如服务器等。
SDRAM 的引脚与封装
内存芯片要想工作,必须要与内存控制器有所联系,同时对于一个电气元件,电源供应也是必不可少的,而且数
据的传输要有一个时钟作为触发参考。因此,SDRAM 在封装时就要留出相应的引脚以供使用。 电源与时钟的
引脚就不必多说了,那么至少应该有哪些控制引脚呢?我们从内存寻址的步骤捋下来就基本可以明白了。
这里需要说明的是,与 DIMM 一样,SDRAM 有着自己的业界设计规范,在一个容量标准下,SDRAM 的引脚/
信号标准不能只考虑一种位宽的设计,而是要顾及多种位宽,然后尽量给出一个通用的标准,小位宽的芯片也许
会空出一些引脚,高位宽的芯片可能就全部用上了。不过容量不同时,设计标准也会有所不同,一般容量越小的
芯片所需要的引脚也就越少。
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