芯片封装与测试HTS测试－讲稿.docx_hts资源-CSDN文库

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36.HTS测试－讲稿

高温储藏（HTS）测试是芯片测试中的一个重要环节，今天我们就来说说高温储藏

测试的基本概念，高温储藏测试的设备，高温储藏测试的过程。

高温储藏测试是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性试验。

高温储藏测试通常用于确定时间和温度的影响，这个测试可能是破坏性的，一般是

把封装产品长时间放置在高温氮气氛围中，然后测试其电路性能。

高温储藏测试的技术指标主要有高温温度和高温保持时间，高温的环境气氛一般是

惰性气体（氮气），主要是因为氮气在高温环境下比较稳定，可以起到保护被测试对

象的目的。

高温储藏测试的测试设备一般是高温氮气炉，

高温氮气炉的正面和背面分别有一个进气口和出气口，用于保护性惰性气体的进出。

高温氮气炉的额定温度可以通过编程的方式进行设定，不同产品有不同的高温要求。

高温氮气炉的主要技术参数包括额定温度和最大温度，升温速率和加热方式。

把封装好的芯片放在150℃的氮气炉内保持1000小时，然后测试封装体的电学性能。

因为在高温条件下，半导体构成物质的活化性会增强，会有物质间的扩散，从而导

致电气的不良反应发生，另外，因为高温，机械性较弱的物质也容易损坏。

因此高温储藏测试主要是测试半导体封装材料在高温下的变化对性能的影响

高温储藏测试的具体测试数据如表所示

在封装体内部，在金线和芯片的结合面上，它们的材料结构依次为：铝、铝金合金、

金，在高温状态下，金和铝金属都变得非常活跃，它们会互相扩散，

但是由于铝的扩散速度比金要快，所以在铝的界面物质就变少，就会形成孔洞，从

而造成电路性能不好，甚至会导致断路。

在特定情况下，可以选择使用同种物质结合电路，如金线用铝线代替，这样就不会

因为金属间的扩散而产生可靠性测试不良了；也可以用掺杂物质作为中介来抑制物

质间的相互扩散。

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