eeprom.zip_EEPROM C51_I2C总线协议_iic eeprom_单片机

//-------------------------------------------------------------------------------// //----------void write_AT24(unsigned char address,unsigned char word);-----------// //----------unsigned char read_AT24(unsigned char address);----------------------// //----------使用以上两个函数可以向at24分别写读一个字节---------------------------// //----------注意在写完一个字节后必须使用delay10ms()延迟10ms----------------------// //-------------------------------------------------------------------------------// //void write_AT24_S(unsigned char address,unsigned char *word,unsigned char number)// //可以连续写字节，最多8个字节，但只能在一个扇区内写，一个扇区8个字节。因为AT24-----// //内部地址的低三位每读一次加一位，不会进位到第四位,比如写地址为0x0f＝0b00001111,---// //低三为111加一位为000，写完地址00001111后下一个地址被写入00001000，而不是0001000--// //void char read_AT24_S(unsigned char address,unsigned char *word,unsigned char number)// //----------------连续读字节，同样有扇区和最多读8字节的限制，不然会--------------------// //----------重复读之前读过的东西.最后读取的字节放在word中-------此函数暂时无法使用-----// #include "reg51.h" #include "intrins.h" sbit SCL=P0^0;//rom输入时钟，最大频率为400khz，周期为2.5us,模拟时钟输出时一个周期的高低位都设为2us,也不违反高低脉冲的占空比要求，另外读或写时都最好保留1u的建立时间和保持时间 sbit SDA=P0^1; void delay10ms(void);//数据写入rom后需要一个最大10ms的内部写入周期 void delay(void);//SCL最大时钟频率是400Khz，即一个周期最少为2.5us void start(void);//进入start condition,进入条件为scl为高电平时sda由高电平变为低电平 void stop(void);//进入stop condition，进入条件为scl为高电平时sda有低电平变为高电平，因此sda必须在scl高电平时稳定不然就判断是否进入stat或stop void ack(void);//每次像eeprom写入一个字节（8个scl时钟周期）数据都要确认，确认信号为eeprom发过来的0，在scl的下降沿接受 void write_byte(unsigned char);//单片机向a24写一个字节,写数据实在时钟的上升沿 void write_AT24(unsigned char,unsigned char);//将一个字节写入rom中的某个地址，地址为7位,注意用完后必须延迟10ms使数据真正写入rom unsigned char read_byte(void);//向at24读取一个字节的过程 unsigned char read_AT24(unsigned char);//从rom读取指定地址的字节到单片机 void write_AT24_S(unsigned char,unsigned char*,unsigned char);//连续向AT24的某个地址写入i个字节，i必须小于8，不然会重写 void read_AT24_S(unsigned char,unsigned char*,unsigned char);//从指定地址连续读出指定字节 void Rack(bit); void main(void)//测试用主函数 { unsigned char cc[20]; unsigned char temp[8]={0x14,0x53,0xa6,0xff,0x1f,0x20,0xc4,0x87}; //unsigned char temp1[8]={0x01,0x01,0x01,0x01,0x01,0x01,0x01,0x01}; //unsigned char uu; unsigned char i; for(i=0;i<16;i++) { //write_AT24(i,1); write_AT24_S((0x00+8*i),temp,0x08); delay10ms(); } //char vv[3];// write_AT24_S(0x00,temp,0x08); delay10ms(); //read_AT24_S(0x02,cc,0x01); //start();//再一个开始，不然就变写的操作了 //write_byte(0xA1);//写入设备地址10100001，进行读的操作 //ack(); //cc[19]=read_byte(); //Rack(0); //cc[18]=read_byte(); //Rack(0); //i=read_byte(); //Rack(1); //stop(); //start();//再一个开始，不然就变写的操作了 //write_byte(0xA1);//写入设备地址10100001，进行读的操作 //ack(); //cc[19]=read_byte(); //Rack(0); //cc[18]=read_byte(); //Rack(0); //i=read_byte(); //Rack(1); //stop(); //write_AT24(0x10,3) //cc[0]=read_AT24(0x00); for(i=0;i<20;i++) { cc[i]=read_AT24(0x00+i); } //write_AT24(0x01,0xAA); //write_AT24(0x02,0xBA); //delay10ms(); //ACC=read_AT24(0x01); //delay10ms(); //ACC=read_AT24(0x02); // write_AT24(0x03,0xA0); //delay10ms(); // ACC=read_AT24(0x03); // write_AT24(0x04,0x4A); // delay10ms(); // ACC=read_AT24(0x04); while(1); //return (0); } void delay10ms(void)//假设12M的晶振，一个指令周期12个震荡周期，所以一个指令周期是12/12=1us,所以需要10000个指令周期，while花费2个指令周期 { unsigned int i=5000; while(--i); } void delay(void)//SCL最大时钟频率是400Khz，即一个周期最少为2.5us,因此模拟时钟是高低电平的延迟时间用2us，占用两个指令周期 { _nop_();_nop_(); } void start(void) { SDA=1; SCL=1; delay();//设置Tsu.sta,按标准最小为0.6us，这里保险点用2us SDA=0; delay();//设置Thd.sta,按标准最小0.6us，这里也用2us SCL=0; } void stop(void) { SDA=0; SCL=1; delay();//设置Tsu.sto,按标准最小为0.6us，这里保险点用2us SDA=1; delay();//设置Tbuf,按标准最小1.2us，这里也用2us //SCL=0;不用置0，可以在当前高电平中继续下一个start } void ack(void) { //SDA=1;//锁存器置1，读取io口的值？ SCL=0; delay();//scl电平的持续时间 SCL=1;//scl时钟置0，在下降沿eeprom发出一个ack信息，单片机接受 //if(SDA){break;} 24发送数据在时钟的下降沿，所以在scl=0和scl=1出都可以读io口的值，这里没有考虑出错的情况 delay();//满足Tdh，标准最小50ns，这里用2us SCL=0; } void write_byte(unsigned char word) { unsigned char i; SCL=0; for(i=0;i<8;i++) { SDA=(bit)(word&0x80); word<<=1; delay();//低电平的持续时间同时保证Tsu.dat，a24准备在时钟上升沿锁存数据,前面两个语句时间够长就不用了 SCL=1; delay();//高电平的持续时间，构成一个时钟周期 SCL=0;//继续下一个时钟周期 } } void write_AT24(unsigned char address,unsigned char word) { start(); write_byte(0xA0);//写入设备地址10100000 ack();//单片机接受应答 write_byte(address);//写入需要写入字节的地址 ack(); write_byte(word);//写入数据 ack(); stop(); } unsigned char read_byte(void) { unsigned char word; unsigned char i; unsigned char temp=0x80; SCL=0; for(i=0;i<8;i++) { //SDA=1;//锁存器置1，准备接受io口引脚上的数据？ delay();//时钟低电平的持续时间 SCL=1; if(SDA) word|=temp; temp>>=1; delay();//时钟高电平的持续时间，可以不加，前面几个指令时间够长了 SCL=0; } delay();//第八个也就是最后一个时钟周期读完之后产生低电平的持续时间，可以不加 return(word); } unsigned char read_AT24(unsigned char address) { unsigned char word; start(); write_byte(0xA0);//写入设备地址10100000,先写一次需要读取自己的地址 ack(); write_byte(address); ack(); start();//再一个开始，不然就变写的操作了 write_byte(0xA1);//写入设备地址10100001，进行读的操作 ack(); word=read_byte(); //SDA=1; //delay(); //SCL=1; //delay(); //SCL=0; //delay();//进行一个周期，noack Rack(1); stop(); return(word); } void write_AT24_S(unsigned char address,unsigned char *word,unsigned char number) { unsigned char i; start(); write_byte(0xA0);//写入设备地址10100000 ack();//单片机接受应答 write_byte(address);//写入需要写入字节的地址 ack(); for(i=0;i<number;i++) { write_byte(*(word+i));//写入数据 ack(); } stop(); } /*void read_AT24_S(unsigned char address,unsigned char *word,unsigned char number) { //unsigned char *word; unsigned char i; start(); write_byte(0xA0);//写入设备地址10100000,先写一次需要读取自己的地址 ack(); write_byte(address); ack(); start();//再一个开始，不然就变写的操作了 write_byte(0xA1);//写入设备地址10100001，进行读的操作 ack(); for(i=0;i<number;i++) { *(word+i)=read_byte(); if(i==number-1)//如果只读一次或者读到最后一个字节要单片机要发出一个no ack信号，此外发ack Rack(1); else Rack(0); } stop(); //return(word); }*/ void Rack(bit i)//单片机向AT24发送的ACK有ACK和no ACK两种 { SDA=i; delay(); SCL=1; delay(); SCL=0; delay(); }