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FET晶体管简介【转】
2009年04月15日 星期三 09:42
http://www.eefocus.com/html/08-06/44933s.shtml
２．２ＦＥＴ的工作原理
２．２．１ＪＦＥＴ与ＭＯＳＦＥＴ
双极晶体管只有ＮＰＮ和ＰＮＰ两种类型，ＦＥＴ的分类则稍微复杂。
如图２．６所示，ＦＥＴ按照结构可以分为结型ＦＥＴ（ＪＦＥＴ：ＪｕｎｃｔｉｏｎＦＥＴ）和绝缘栅ＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ：ＭｅｔａｌＯｘｉｄ
ｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦＥＴ）。
按照电学特性，ＭＯＳＦＥＴ又可以分为耗尽型（ｄｅｌｅｔｉｏｎ）与增强型（ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ）两类。它们又可以进一步分为Ｎ沟型（与
双极晶体管的ＮＰＮ型相当）和Ｐ沟型（与双极晶体管的ＰＮＰ型相当）。
从实际ＦＥＴ的型号中完全看不出ＪＦＥＴ与ＭＯＳＦＥＴ、耗尽型与增强型的区别。仅仅是Ｎ沟器件为２ＳＫ×××（也有双栅的３ＳＫ×××），Ｐ沟
器件为２ＳＪ×××，以区别Ｎ沟和Ｐ沟器件。
图２．６ＦＥＴ的种类
（ＦＥＴ分为ＪＦＥＴ和ＭＯＳＦＥＴ。ＭＯＳＦＥＴ按照电学特性又分为耗尽型和增强型，它们各自又有Ｎ沟型和Ｐ沟型）
２．２．２ＦＥＴ的结构
图２．７是ＦＥＴ简单的的结构示意图（Ｐ沟ＦＥＴ是Ｐ型半导体部分与Ｎ型半导体部分互换）。
图２．７ＦＥＴ的结构
（ＪＦＥＴ工作时栅极与沟道间的二极管处于截止状态，所以几乎没有电流流过栅极。ＭＯＳＦＥＴ的栅极与沟道间有绝缘膜，电流的流动更困难）
如图２．８所示，双极晶体管的基极发射极间以及基极集电极间分别是两个ＰＮ结，就是说存在着二极管。ＪＦＥＴ的栅极与沟道（把输出电路流过漏
极源极间的部分称为沟道）间有ＰＮ结，所以认为存在着二极管（由于有ＰＮ结，所以称为结型ＦＥＴ）。
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纳
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