//程序功能：
// 片内存储器与片外的RAM、FLASH存储器相互传递数据
//外围电路：
// 详见文档《ZQ28335原开发板电路理图.pdf》
//存储区域：
// 本程序的数据传递涉及到四个存储区，为编程方便，分成称为A~D区
// A区：片内 RAML7的前半部分，起始地址为0x00F000，单元数为0x800个;
// B区：片内 RAML7的后半部分，起始地址为0x00F800，单元数为0x800个;
// C区：片外FLASH芯片(SST39VF800)，起始地址为0x10 0000，单元数为512K(0x4 0000)个;
// D区：片外EXRAM芯片(IS61LV25616)，在起始地址为0x20 0000，单元数为256K(0x2 0000)个;
// 文档结构：
// (1)头文件; (2)宏定义; (3)变量定义; (4)函数声明; (5)主函数及其他函数
//主函数结构：
// (1)系统控制初始化; (2)引脚初始化; (3)中断初始化; (4)功能初始化; (5)死循环
// (1)头文件
#include "DSP2833x_Device.h" // DSP2833x Headerfile Include File
#include "DSP2833x_Examples.h" // DSP2833x Examples Include File
//上面两行头文件与下面的一行头文件等价
// #include "DSP28x_Project.h" // Device Headerfile and Examples Include Files
// (2)宏定义
/**************************************************************************/
// SST39VF400A and SST39VF800 芯片有关定义
#define SST_ID 0x00BF /* SST Manufacturer's ID code */
#define SST_39VF400A 0x2780 /* SST39VF400/SST39VF400A device code */
#define SST_39VF800A 0x2781 /* SST39VF800/SST39VF800A device code */
#define TimeOutErr 1
#define VerifyErr 2
#define WriteOK 0
#define EraseErr 3
#define EraseOK 0
#define SectorSize 0x800
#define BlockSize 0x8000
// (3)变量定义
// 存储器起始地址定义
Uint16 *AStartAddr =(Uint16 *)0x00F000; // A区起始地址，RAML7前半部分
Uint16 *BStartAddr =(Uint16 *)0x00F800; // B区起始地址，RAML7后半部分
Uint16 *CStartAddr =(Uint16 *)0x100000; // C区起始地址，外部FLASH存储器
Uint16 *DStartAddr =(Uint16 *)0x200000; // D区起始地址，外部RAM存储器
// (4)函数声明
// 延迟函数
void delay_loop(Uint32 x);
#define execute_30us delay_loop(1000)
#define execute_150ms delay_loop(5000000)
// 擦除RAM存储器里的数据，檫除后，每个单元均为0
void EraseRam(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 Length);
// 擦除整个FLASH，擦除后，每个单元均为0xFFFF
Uint16 EraseFlash(void);
// 写数据到FLASH
Uint16 WriteFlash(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length);
// 写数据到RAM
void WriteRam(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length);
// 从FLASH存储器读数据(辅助函数)
void ReadFlash(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length);
// (5)主函数及其他函数
void main(void)
{
Uint32 i; // 临时变量，用于复制序号
InitSysCtrl();
// 初始化外部总线接口（Xintf）为16位总线接口
// 占用引脚：GPIO28-31、34-47、64-87
InitXintf(); // in DSP2833x_Xintf.c
DINT;
InitPieCtrl();
IER = 0x0000;
IFR = 0x0000;
InitPieVectTable();
// 将A区前0x400单元分别赋值为0~0x3FF
for (i=0;i<0x400;i++)
*(AStartAddr + i) = i;
// 檫除B区前0x400单元数据，檫除后均为0
EraseRam(BStartAddr, 0x400);
// 檫除C区(外接FLASH（SST39VF800）)数据，檫除后每个单元均为0xFFFF
EraseFlash(); // 执行本函数需要几百ms
// 檫除D区前0x400单元数据，檫除后均为0
EraseRam(DStartAddr, 0x400);
// 数据复制：A-->B-->C-->D-->A
// A-->B: -->ram
WriteRam(AStartAddr, BStartAddr, 0x400);
// 檫除A区前0x400单元数据，檫除后均为0
EraseRam(AStartAddr, 0x400);
// B-->C: -->ram
WriteFlash(BStartAddr, CStartAddr, 0x400);
// C-->D: -->ram
WriteRam(CStartAddr, DStartAddr, 0x400);
// D-->A: -->ram
WriteRam(DStartAddr, BStartAddr, 0x400);
// B-->A: ram-->ram
WriteRam(BStartAddr, AStartAddr, 0x400);
for(;;);
}
// 延迟函数
void delay_loop(Uint32 x)
{
Uint32 i;
for (i = 0; i < x; i++) {}
}
// 擦除RAM存储器里的数据，檫除后，每个单元均为0
// Uint16 *SrcStartAddr：存储单元起始地址
// Uint16 Length：单元个数
void EraseRam(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 Length)
{
Uint16 i;
for (i=0;i<Length;i++)
*(SrcStartAddr + i) = 0;
}
// 擦除整个FLASH，擦除后，每个单元均为0xFFFF
// 函数返回0：擦除完成（EraseOK=0）
// 函数返回1：擦除超时退出（TimeOutErr=1）
// 函数返回3：擦除错误（EraseErr=3）
Uint16 EraseFlash(void)
{
Uint16 i,Data;
Uint32 TimeOut;
// 擦除整个FLASH命令
*(CStartAddr + 0x5555) = 0xAAAA;
*(CStartAddr + 0x2AAA) = 0x5555;
*(CStartAddr + 0x5555) = 0x8080;
*(CStartAddr + 0x5555) = 0xAAAA;
*(CStartAddr + 0x2AAA) = 0x5555;
*(CStartAddr + 0x5555) = 0x1010;
i = 0;
TimeOut = 0;
execute_150ms; // 擦除等待
while(i<5) // 擦除检验
{
Data = *(CStartAddr + 0x3FFFF); // 判断是否擦除到0x3FFFF单元
if (Data == 0xFFFF) i++; // 未清除，继续
else i=0;
if ( ++TimeOut>0x1000000) return (TimeOutErr); //TimeOutErr=1，超时退出
}
for (i=0;i<0x4000;i++) // 对前0x4000个单元进行擦除检验
{
Data = *(CStartAddr + i);
if (Data !=0xFFFF) return (EraseErr); // EraseErr=3
}
return (EraseOK); // EraseOK=0
}
// 写数据到FLASH
// Uint16 *SrcStartAddr： 源数据起始地址
// Uint16 *DesStartAddr：FLASH单元起始地址，destination addr（目标地址）
// Uint16 Length: 单元个数
// 函数返回0：全部写到FLASH完成（WriteOK=0）
// 函数返回1：擦除超时退出（TimeOutErr=1）
// 函数返回2：写数据错误（VerifyErr=2）
Uint16 WriteFlash(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length)
{
Uint32 i,TimeOut;
Uint16 Data1,Data2,j;
for (i=0;i<Length;i++)
{
// 写FLASH数据命令（时序）
*(CStartAddr + 0x5555)= 0xAA;
*(CStartAddr + 0x2AAA)= 0x55;
*(CStartAddr + 0x5555) = 0xA0;
*(DesStartAddr + i) = *(SrcStartAddr + i);
TimeOut = 0; // 用定时器自动修改TimeOut，看是否超时
j=0;
execute_30us; // 写FLASH等待
while(j<5) // 判断已写的FLASH单元，多次读出是否一致（可靠读出）
{
Data1 = *(DesStartAddr + i);
Data2 = *(DesStartAddr + i);
if (Data1 == Data2) j++;
else j=0;
if ( ++TimeOut>0x1000000) return (TimeOutErr); //TimeOutErr=1
}
}
for (i=0;i<Length;i++) // 判断写数据是否有错
{
Data1 = *(DesStartAddr + i);
Data2 = *(SrcStartAddr + i);
if (Data1 != Data2) return (VerifyErr); // VerifyErr=2
}
return (WriteOK); // WriteOK=0
}
// 写数据到RAM
// Uint16 *SrcStartAddr：RAM源起始地址
// Uint16 *SrcStartAddr：数据目的起始地址
// Uint16 Length：复制单元数
void WriteRam(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length)
{
Uint16 i;
for (i=0;i<Length;i++)
*(DesStartAddr + i) = *(SrcStartAddr +i);
}
// 从FLASH存储器读数据
// Uint16 *SrcStartAddr： FLASH源数据起始地址
// Uint16 *DesStartAddr：存储目标单元起始地址，destination addr（目标地址）
// Uint16 Length: 单元个数
void ReadFlash(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length)
{
Uint16 i;
for (i=0;i<Length;i++)
*(DesStartAddr +i) = *((volatile unsigned int *)(SrcStartAddr + i));
}
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// No more.
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