实验1（MEMORY, OK）.rar_dsp_memory

//程序功能： // 片内存储器与片外的RAM、FLASH存储器相互传递数据 //外围电路： // 详见文档《ZQ28335原开发板电路理图.pdf》 //存储区域： // 本程序的数据传递涉及到四个存储区，为编程方便，分成称为A~D区 // A区：片内 RAML7的前半部分，起始地址为0x00F000，单元数为0x800个; // B区：片内 RAML7的后半部分，起始地址为0x00F800，单元数为0x800个; // C区：片外FLASH芯片(SST39VF800)，起始地址为0x10 0000，单元数为512K(0x4 0000)个; // D区：片外EXRAM芯片(IS61LV25616)，在起始地址为0x20 0000，单元数为256K(0x2 0000)个; // 文档结构： // (1)头文件; (2)宏定义; (3)变量定义; (4)函数声明; (5)主函数及其他函数 //主函数结构： // (1)系统控制初始化; (2)引脚初始化; (3)中断初始化; (4)功能初始化; (5)死循环 // (1)头文件 #include "DSP2833x_Device.h" // DSP2833x Headerfile Include File #include "DSP2833x_Examples.h" // DSP2833x Examples Include File //上面两行头文件与下面的一行头文件等价 // #include "DSP28x_Project.h" // Device Headerfile and Examples Include Files // (2)宏定义 /**************************************************************************/ // SST39VF400A and SST39VF800 芯片有关定义 #define SST_ID 0x00BF /* SST Manufacturer's ID code */ #define SST_39VF400A 0x2780 /* SST39VF400/SST39VF400A device code */ #define SST_39VF800A 0x2781 /* SST39VF800/SST39VF800A device code */ #define TimeOutErr 1 #define VerifyErr 2 #define WriteOK 0 #define EraseErr 3 #define EraseOK 0 #define SectorSize 0x800 #define BlockSize 0x8000 // (3)变量定义 // 存储器起始地址定义 Uint16 *AStartAddr =(Uint16 *)0x00F000; // A区起始地址，RAML7前半部分 Uint16 *BStartAddr =(Uint16 *)0x00F800; // B区起始地址，RAML7后半部分 Uint16 *CStartAddr =(Uint16 *)0x100000; // C区起始地址，外部FLASH存储器 Uint16 *DStartAddr =(Uint16 *)0x200000; // D区起始地址，外部RAM存储器 // (4)函数声明 // 延迟函数 void delay_loop(Uint32 x); #define execute_30us delay_loop(1000) #define execute_150ms delay_loop(5000000) // 擦除RAM存储器里的数据，檫除后，每个单元均为0 void EraseRam(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 Length); // 擦除整个FLASH，擦除后，每个单元均为0xFFFF Uint16 EraseFlash(void); // 写数据到FLASH Uint16 WriteFlash(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length); // 写数据到RAM void WriteRam(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length); // 从FLASH存储器读数据(辅助函数) void ReadFlash(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length); // (5)主函数及其他函数 void main(void) { Uint32 i; // 临时变量，用于复制序号 InitSysCtrl(); // 初始化外部总线接口（Xintf）为16位总线接口 // 占用引脚：GPIO28-31、34-47、64-87 InitXintf(); // in DSP2833x_Xintf.c DINT; InitPieCtrl(); IER = 0x0000; IFR = 0x0000; InitPieVectTable(); // 将A区前0x400单元分别赋值为0~0x3FF for (i=0;i<0x400;i++) *(AStartAddr + i) = i; // 檫除B区前0x400单元数据，檫除后均为0 EraseRam(BStartAddr, 0x400); // 檫除C区(外接FLASH（SST39VF800）)数据，檫除后每个单元均为0xFFFF EraseFlash(); // 执行本函数需要几百ms // 檫除D区前0x400单元数据，檫除后均为0 EraseRam(DStartAddr, 0x400); // 数据复制：A-->B-->C-->D-->A // A-->B: -->ram WriteRam(AStartAddr, BStartAddr, 0x400); // 檫除A区前0x400单元数据，檫除后均为0 EraseRam(AStartAddr, 0x400); // B-->C: -->ram WriteFlash(BStartAddr, CStartAddr, 0x400); // C-->D: -->ram WriteRam(CStartAddr, DStartAddr, 0x400); // D-->A: -->ram WriteRam(DStartAddr, BStartAddr, 0x400); // B-->A: ram-->ram WriteRam(BStartAddr, AStartAddr, 0x400); for(;;); } // 延迟函数 void delay_loop(Uint32 x) { Uint32 i; for (i = 0; i < x; i++) {} } // 擦除RAM存储器里的数据，檫除后，每个单元均为0 // Uint16 *SrcStartAddr：存储单元起始地址 // Uint16 Length：单元个数 void EraseRam(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 Length) { Uint16 i; for (i=0;i<Length;i++) *(SrcStartAddr + i) = 0; } // 擦除整个FLASH，擦除后，每个单元均为0xFFFF // 函数返回0：擦除完成（EraseOK=0） // 函数返回1：擦除超时退出（TimeOutErr=1） // 函数返回3：擦除错误（EraseErr=3） Uint16 EraseFlash(void) { Uint16 i,Data; Uint32 TimeOut; // 擦除整个FLASH命令 *(CStartAddr + 0x5555) = 0xAAAA; *(CStartAddr + 0x2AAA) = 0x5555; *(CStartAddr + 0x5555) = 0x8080; *(CStartAddr + 0x5555) = 0xAAAA; *(CStartAddr + 0x2AAA) = 0x5555; *(CStartAddr + 0x5555) = 0x1010; i = 0; TimeOut = 0; execute_150ms; // 擦除等待 while(i<5) // 擦除检验 { Data = *(CStartAddr + 0x3FFFF); // 判断是否擦除到0x3FFFF单元 if (Data == 0xFFFF) i++; // 未清除，继续 else i=0; if ( ++TimeOut>0x1000000) return (TimeOutErr); //TimeOutErr=1，超时退出 } for (i=0;i<0x4000;i++) // 对前0x4000个单元进行擦除检验 { Data = *(CStartAddr + i); if (Data !=0xFFFF) return (EraseErr); // EraseErr=3 } return (EraseOK); // EraseOK=0 } // 写数据到FLASH // Uint16 *SrcStartAddr： 源数据起始地址 // Uint16 *DesStartAddr：FLASH单元起始地址，destination addr（目标地址） // Uint16 Length: 单元个数 // 函数返回0：全部写到FLASH完成（WriteOK=0） // 函数返回1：擦除超时退出（TimeOutErr=1） // 函数返回2：写数据错误（VerifyErr=2） Uint16 WriteFlash(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length) { Uint32 i,TimeOut; Uint16 Data1,Data2,j; for (i=0;i<Length;i++) { // 写FLASH数据命令（时序） *(CStartAddr + 0x5555)= 0xAA; *(CStartAddr + 0x2AAA)= 0x55; *(CStartAddr + 0x5555) = 0xA0; *(DesStartAddr + i) = *(SrcStartAddr + i); TimeOut = 0; // 用定时器自动修改TimeOut，看是否超时 j=0; execute_30us; // 写FLASH等待 while(j<5) // 判断已写的FLASH单元，多次读出是否一致（可靠读出） { Data1 = *(DesStartAddr + i); Data2 = *(DesStartAddr + i); if (Data1 == Data2) j++; else j=0; if ( ++TimeOut>0x1000000) return (TimeOutErr); //TimeOutErr=1 } } for (i=0;i<Length;i++) // 判断写数据是否有错 { Data1 = *(DesStartAddr + i); Data2 = *(SrcStartAddr + i); if (Data1 != Data2) return (VerifyErr); // VerifyErr=2 } return (WriteOK); // WriteOK=0 } // 写数据到RAM // Uint16 *SrcStartAddr：RAM源起始地址 // Uint16 *SrcStartAddr：数据目的起始地址 // Uint16 Length：复制单元数 void WriteRam(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length) { Uint16 i; for (i=0;i<Length;i++) *(DesStartAddr + i) = *(SrcStartAddr +i); } // 从FLASH存储器读数据 // Uint16 *SrcStartAddr： FLASH源数据起始地址 // Uint16 *DesStartAddr：存储目标单元起始地址，destination addr（目标地址） // Uint16 Length: 单元个数 void ReadFlash(Uint16 *SrcStartAddr, Uint16 *DesStartAddr, Uint16 Length) { Uint16 i; for (i=0;i<Length;i++) *(DesStartAddr +i) = *((volatile unsigned int *)(SrcStartAddr + i)); } //=========================================================================== // No more. //===========================================================================