基于 smdk2410 开发板 u-boot-1.2.0 对
nand flash 的支持
1. 预备知识
1.1. Nand Flash VS Nor Flash
性能比较:
flash 闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何 flash 器件的
写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND 器件执行擦除操作是十分简单的,而 NOR 则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写
为 0。
由于擦除 NOR 器件时是以 64~128KB 的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为 5s,与此相
反,擦除 NAND 器件是以 8~32KB 的块进行的,执行相同的操作最多只需要 4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间的性能差距,统计表明,对于给定的一
套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于 NOR 的单元中进行。这样,当选择存储
解决方案时,必须权衡以下的各项因素。
● NOR 的读速度比 NAND 稍快一些。
● NAND 的写入速度比 NOR 快很多。
● NAND 的 4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND 的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
接口差别:
NOR flash 带有 SRAM 接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND 器件使用复杂的 I/O 口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8 个引
脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND 读和写操作采用 512 字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于 NAND 的
存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本
NAND flash 的单元尺寸几乎是 NOR 器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND 结构可以在给定
的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
NOR flash 占据了容量为 1~16MB 闪存市场的大部分,而 NAND flash 只是用在 8~128MB 的产
品当中,这也说明 NOR 主要应用在代码存储介质中,NAND 适合于数据存储,NAND 在 CompactFlash、
Secure Digital、PC Cards 和 MMC 存储卡市场上所占份额最大。
可靠性和耐用性:
采用 flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展 MTBF 的系统来说,Flash 是