hh.rar_TDN_TDN CM+

1.掌握存储器的设计目标和功能特点，熟悉SRAM2114的结构特点 2.利用SRAM2114和相关的基本电路设计8位地址的存储器电路 3.在TDN-CM+实验系统中，用SRAM2114 和门电路实现8位地址的存储器电路 4.以表格记录在学号加班号为起点的16个地址单元中，分别写入相应的反码 5．绘制带开关输入功能的存储器电路连接图，撰写相应的设计报告