在深入讨论移相全桥（Phase-Shifted Full-Bridge, PSFB）电源设计的若干议题之前，需要了解该技术的基本概念。PSFB是一种广泛应用于电源转换领域的拓扑结构，它通过在两个半桥之间引入一个可调的相位差（即移相）来优化功率管的开关过程，并实现软开关操作以提高效率和性能。
死区时间是指在功率开关器件（如MOSFET或IGBT）的开关动作中，两个器件转换过程中存在一个不导通的时间段。这段非重叠时间的设置对于移相全桥电源设计至关重要，尤其是在解决传统设计中遇到的问题时。
在PSFB设计中，超前臂与滞后臂的工作特性不同，因此需要分别考虑死区时间的设置。超前臂的死区时间主要取决于MOS管的下降延迟时间td(off)和下降时间tf。为了避免体二极管在上管开通时反向恢复，超前臂的死区时间仅需略大于td(off)+tf即可。
对于滞后臂，死区时间的设置需考虑两个因素。其一，为了实现滞后臂的零电压开关（ZVS），死区时间应设定为谐振周期的四分之一。这有助于减小MOS管的开关损耗，并且在理想情况下，使滞后臂在原边电流为零时开通，避免了直通风险。其二，为确保滞后臂可靠工作，死区时间需要大于td(off)+tf，以防止上管在下管体二极管反向恢复期间开通。
在实际应用中，可能会出现死区时间过长的情况，导致滞后臂在死区时间内产生多次有阻尼的震荡。这可能会引起设计上的误区，以为超前臂的死区时间设置错误。但实际上，这是由于滞后臂在特定条件下，原边电流与谐振电感及电容产生谐振而引起的。
在电源设计中，设计者需要深入理解这些工作过程和动态特性，才能正确地设置死区时间，以保证电源的高效稳定运行。对于低频应用，死区时间设置不当对效率的影响相对较小，但在高频应用中则会显著影响效率。此时，设计者可采取增加谐振电感的电感量、选用具有较大输出电容的MOS管等措施。此外，还可以在滞后臂MOS管外部并联电容以增加谐振周期，但这在低压大电流输入时可能带来轻载损耗增加和电容发热问题。
PSFB拓扑中死区时间的设置是一个复杂的过程，它依赖于拓扑结构、元件特性以及应用频率等多种因素。理解并正确设置死区时间对于提高移相全桥电源的性能、可靠性以及效率至关重要。在李涛涛的研究中，他基于两年多的PSFB电源设计经验，总结了这些实际遇到的问题和解决方案，为后续的研究者和工程师提供了宝贵的经验和参考。
