关于IGBT的四种结构的研究,陈为真,张丙可,研究了Trench-IGBT(沟槽栅)相对于Planar-IGBT(平面栅)的改变,分析了沟槽栅对器件性能的影响;研究了CSTBT(载流子存储型)的结构,分
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