2SK2955 TOSHIBA HIGH POWER AMP-综合文档

《2SK2955 TOSHIBA HIGH POWER AMP-综合文档》 本文档主要介绍了东芝公司生产的2SK2955，这是一种高性能的N沟道MOS场效应晶体管，适用于高速电力开关应用。该器件具有以下关键特点： 1. **低导通电阻**：RDS(on)典型值仅为0.010欧姆，这使得在高电流通过时，器件的电压降极小，从而提高效率。 2. **低驱动电压**：能够以4伏的电压进行驱动，降低了对控制电路的电压要求。 3. **快速切换速度**：2SK2955具备出色的开关性能，适用于需要快速响应的电路。 **绝对最大额定值**（Ta=25℃）： - **漏源电压**：VDSS为60V - **栅源电压**：VGSS为±20V - **漏电流**：ID为45A - **脉冲漏电流**：ID(pulse)为180A，条件是PW≦10μs，duty cycle≦1% - **反向漏电流**：IDR为45A - **雪崩电流**：IAP为45A，且Tch = 25℃ - **通道损耗**：Pch为100W，Tc = 25℃ - **通道温度**：Tch为150℃ - **储存温度**：Tstg范围为-55℃~+150℃ **电气特性**（Ta=25℃）： - **漏源击穿电压**：V(BR)DSS为60V - **栅源击穿电压**：V(BR)GSS为±20V - **漏源截止电流**：IDSS为10μA - **栅源截止电流**：IGSS为±10μA - **栅源截止电压**：VGS(off)介于1.5V到2.5V之间 - **传输导纳** |yfs| 在25至40之间，SID = 20A，VDS = 10V - **漏源开态电阻** RDS(on)在0.010到0.013欧姆（VGS=10V, ID=20A），或在0.015到0.025欧姆（VGS=4V, ID=20A） - **输入电容** Ciss在2200到2000pF之间 - **输出电容** Coss在1050到1000pF之间 - **返回电容** Crss在320到300pF之间 - **开启延迟时间** td(on)在25到200ns之间 - **上升时间** tr在200到240ns之间 - **关闭延迟时间** td(off)在320ns左右 - **下降时间** tf在240ns左右 - **二极管正向电压** VDF为0.95V - **反向恢复时间** trr在60ns左右 **主特性**： 图示了不同温度和栅源电压下，漏源电压VDS与漏极电流ID的安全操作区域。此外，还展示了器件在不同脉宽、脉冲频率下的特性，以及在不同栅源电压下，漏源饱和电压VDS(on)与栅源电压VGS的关系。 2SK2955是一款高性能的功率MOSFET，适用于高压、高速的应用，如电源管理、电机驱动和开关电源等。其低导通电阻、低驱动电压和快速开关特性使其在需要高效能和快速响应的电力电子系统中尤为适用。同时，用户需要根据其电气特性表中的参数，确保在正确的条件下使用，以防止器件损坏。